| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1. 纳米压印技术的研究与应用 | 第8-11页 |
| 1.2. 反压印(Reverse Imprint)技术简介 | 第11-12页 |
| 1.3. 锆钛酸铅(PZT)结构与性质简介 | 第12-18页 |
| 1.3.1. 锆钛酸铅(PZT)材料的铁电性,压电性及热释电性 | 第13-18页 |
| 1.4. 锆钛酸铅(PZT)的应用 | 第18-22页 |
| 1.5. 本文选题意义及组织结构 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第2章 锆钛酸铅薄膜的制备及模板的预处理 | 第26-36页 |
| 2.1. 溶胶凝胶法制备PZT薄膜 | 第26-30页 |
| 2.1.1. 溶胶凝胶法简介 | 第26-28页 |
| 2.1.2. PZT溶胶凝胶液的配制 | 第28-29页 |
| 2.1.3. 硅片上PZT旋涂厚度表征 | 第29-30页 |
| 2.2. 模板的制备 | 第30-31页 |
| 2.3. 模板的清洗 | 第31-33页 |
| 2.4. 压印模板的疏水处理 | 第33-34页 |
| 2.5. 小结 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第3章 反压印制备PZT纳米结构 | 第36-57页 |
| 3.1. 反压印PZT实验过程 | 第36-37页 |
| 3.2. 原子力显微镜(AFM)简介 | 第37-38页 |
| 3.3. 样品表面形貌研究 | 第38-40页 |
| 3.4. PZT旋涂模板表面形貌的研究 | 第40-43页 |
| 3.5. 反压印工艺模型 | 第43-50页 |
| 3.5.1. 反压印后模板表面形貌的研究 | 第43-44页 |
| 3.5.2. PZT反压印工艺模型 | 第44-49页 |
| 3.5.2.1. 反压印过程分析 | 第44-49页 |
| 3.5.3. 旋涂厚度与反压印成功率的讨论 | 第49-50页 |
| 3.6. 点阵及十字阵列模板反压印PZT的研究 | 第50-52页 |
| 3.6.1. 点阵模板反压印PZT的研究 | 第50页 |
| 3.6.2. 反压印制备PZT十字阵列 | 第50-52页 |
| 3.7. 退火对反压印制备PZT微纳结构的影响 | 第52-54页 |
| 3.8. 小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第4章 PZT反压印光栅性质表征 | 第57-66页 |
| 4.1. 压电力显微镜(PFM)简介 | 第57-59页 |
| 4.1.1. 压电力显微镜PFM工作原理 | 第57-58页 |
| 4.1.2. VPFM与LPFM | 第58-59页 |
| 4.2. 样品电畴分布的测量 | 第59-61页 |
| 4.3. 反压印PZT光栅的微观铁电性研究 | 第61-62页 |
| 4.4. PZT反压印光栅Raman光谱分析 | 第62-64页 |
| 4.5. 小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第5章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1. 总结 | 第66-67页 |
| 5.2. 展望 | 第67-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |