等离子体浸没离子注入改性氧化铟锡薄膜实验研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 选题背景与意义 | 第8-12页 |
| 1.2 本论文主要研究内容与结构安排 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-15页 |
| 第2章 OLED发光理论及阳极界面修饰简介 | 第15-29页 |
| 2.1 OLED发光理论 | 第15-21页 |
| 2.1.1 载流子的注入、传输和复合 | 第17-20页 |
| 2.1.2 有机电致发光的能级理论 | 第20-21页 |
| 2.2 OLED阳极氧化铟锡简介 | 第21-23页 |
| 2.3 阳极界面修饰简介 | 第23-26页 |
| 2.3.1 阳极界面修饰意义 | 第23-24页 |
| 2.3.2 阳极界面修饰方法 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-29页 |
| 第3章 等离子体浸没离子注入理论及实验装置 | 第29-43页 |
| 3.1 等离子体浸没离子注入理论概述 | 第29页 |
| 3.2 PⅢ层理论 | 第29-35页 |
| 3.2.1 PⅢ鞘层模型 | 第30-35页 |
| 3.2.2 偏压源对注入剂量的影响 | 第35页 |
| 3.3 PⅢ实验装置 | 第35-42页 |
| 3.3.1 真空系统 | 第36-37页 |
| 3.3.2 气路控制系统 | 第37-38页 |
| 3.3.3 等离子体激发源 | 第38-39页 |
| 3.3.4 高压电源系统 | 第39-40页 |
| 3.3.5 手套箱超级净化系统 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第4章 ITO表面处理实验 | 第43-48页 |
| 4.1 未处理的ITO透明导电薄膜样品特性 | 第43-44页 |
| 4.1.1 基片及预处理 | 第43页 |
| 4.1.2 基片初始特征 | 第43-44页 |
| 4.2 ITO表面处理(1)：不同注入偏压的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 ITO表面处理(2)：不同注入偏压的影响 | 第46页 |
| 4.4 ITO表面处理(3)：不同注入时间的影响 | 第46-47页 |
| 4.5 ITO表面处理(4)：不同注入时间的影响 | 第47-48页 |
| 第5章 样品表征结果分析 | 第48-62页 |
| 5.1 XPS表面分析方法概述 | 第48-50页 |
| 5.2 第一组和第二组ITO处理实验结果和分析 | 第50-53页 |
| 5.3 第三组ITO处理实验结果和分析 | 第53-56页 |
| 5.4 第四组ITO处理实验结果和分析 | 第56-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第6章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 本论文工作总结 | 第62-63页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第63-64页 |
| 在校期间的科研成果和发表论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
