| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-37页 |
| 1.1 概述 | 第13-14页 |
| 1.2 InSb 的基本性质 | 第14-24页 |
| 1.2.1 InSb 材料的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 InSb 的能带结构 | 第17页 |
| 1.2.3 InSb 中的缺陷 | 第17-19页 |
| 1.2.4 InSb 的光学性能 | 第19-22页 |
| 1.2.5 InSb 的电学性能 | 第22-24页 |
| 1.3 InSb 薄膜的制备技术与研究进展 | 第24-32页 |
| 1.3.1 薄膜的形成与生长 | 第24-26页 |
| 1.3.2 分子束外延 | 第26-27页 |
| 1.3.3 金属有机化学气相沉积 | 第27-29页 |
| 1.3.4 磁控溅射 | 第29-32页 |
| 1.4 InSb 基薄膜器件的研究现状 | 第32-36页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第36-37页 |
| 第2章 实验材料和测试方法 | 第37-47页 |
| 2.1 实验材料的制备 | 第37-40页 |
| 2.1.1 靶材的制备 | 第37-39页 |
| 2.1.2 Si 衬底的清洗 | 第39-40页 |
| 2.2 样品的分析和表征方法 | 第40-47页 |
| 2.2.1 X 射线衍射分析 | 第40-41页 |
| 2.2.2 原子力显微镜分析技术 | 第41页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜技术 | 第41-43页 |
| 2.2.4 傅里叶变换红外光谱分析 | 第43-44页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜技术 | 第44页 |
| 2.2.6 霍尔分析 | 第44-47页 |
| 第3章 InSb/Si 薄膜制备的研究 | 第47-58页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 InSb/Si 薄膜的磁控溅射制备过程 | 第47-48页 |
| 3.3 磁控溅射工艺参数对 InSb 薄膜的影响 | 第48-56页 |
| 3.3.1 溅射压强对 InSb/Si 薄膜的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.2 溅射功率对 InSb/Si 薄膜的影响 | 第52-56页 |
| 3.3.3 InSb/Si 薄膜的生长工艺窗口 | 第56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 退火对 InSb/Si 薄膜结构和性能的影响 | 第58-89页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 InSb/Si 薄膜的结晶 | 第58-62页 |
| 4.2.1 InSb 薄膜的形核 | 第58-61页 |
| 4.2.2 InSb 薄膜的晶核长大速率 | 第61页 |
| 4.2.3 InSb 薄膜的晶化率 | 第61-62页 |
| 4.3 快速热退火对 InSb/Si 薄膜结构和性能的影响 | 第62-73页 |
| 4.3.1 快速退火温度对 InSb/Si 薄膜的影响 | 第64-69页 |
| 4.3.2 快速退火时间对 InSb/Si 薄膜的影响 | 第69-73页 |
| 4.4 常规热退火对 InSb/Si 薄膜结构和性能的影响 | 第73-83页 |
| 4.4.1 常规退火温度对 InSb 薄膜的影响 | 第73-79页 |
| 4.4.2 常规退火时间对 InSb 薄膜的影响 | 第79-83页 |
| 4.5 InSb 薄膜不同方式晶化过程分析 | 第83-87页 |
| 4.6 本章小结 | 第87-89页 |
| 第5章 InSb/SiO_2/Si 结构薄膜制备与性能研究 | 第89-102页 |
| 5.1 引言 | 第89页 |
| 5.2 XOI 结构薄膜的制备 | 第89-93页 |
| 5.3 XOI 结构薄膜的光学性能 | 第93-94页 |
| 5.4 XOI 结构的 I-V 特性 | 第94-100页 |
| 5.5 本章小结 | 第100-102页 |
| 结论 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 个人简历 | 第116页 |
