摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第9-37页 |
1.1 引言 | 第9-11页 |
1.2 化学机械抛光 | 第11-19页 |
1.2.1 化学机械抛光简介 | 第11-12页 |
1.2.2 化学机械抛光的动力学原理 | 第12-14页 |
1.2.3 化学机械抛光设备 | 第14-15页 |
1.2.4 化学机械抛光液 | 第15-19页 |
1.2.5 影响CMP的物理因素 | 第19页 |
1.3 化学机械抛光在Cu互连中的应用 | 第19-22页 |
1.4 Cu互连阻挡粘附层的化学机械抛光研究进展 | 第22-25页 |
1.4.1 Ta阻挡层的化学机械抛光 | 第22-23页 |
1.4.2 Ru阻挡层的化学机械抛光 | 第23-24页 |
1.4.3 Mo阻挡层的化学机械抛光 | 第24-25页 |
1.5 本论文的研究目的与内容 | 第25-26页 |
参考文献 | 第26-37页 |
第二章 实验设备及理论方法简介 | 第37-47页 |
2.1 本工作重要实验设备介绍 | 第37-40页 |
2.1.1 化学机械抛光设备 | 第37-38页 |
2.1.2 电化学工作站 | 第38-40页 |
2.1.3 其他实验仪器 | 第40页 |
2.2 实验方法及原理简介 | 第40-45页 |
2.2.1 化学机械抛光 | 第40-41页 |
2.2.2 静态腐蚀 | 第41-42页 |
2.2.3 样品表征方法 | 第42-43页 |
2.2.4 电化学方法在CMP中的应用 | 第43-45页 |
2.3 实验耗材 | 第45页 |
参考文献 | 第45-47页 |
第三章 甘氨酸在KIO_4基的抛光液中对Ru CMP的作用 | 第47-71页 |
3.1 KIO_4作为氧化剂对RuCMP的研究 | 第49-50页 |
3.2 甘氨酸在KIO_4基抛光液中作为抑制剂对Ru CMP的研究 | 第50-63页 |
3.2.1 甘氨酸对抛光液体系稳定性的影响 | 第50-52页 |
3.2.2 甘氨酸对Ru与Cu静态腐蚀速率的影响 | 第52-54页 |
3.2.3 甘氨酸对Ru与Cu抛光速率的影响 | 第54-57页 |
3.2.4 甘氨酸在KIO_4基溶液中对Ru与Cu的作用机理 | 第57-63页 |
3.4 KIO_4基抛光液对RuTa合金CMP的研究 | 第63-66页 |
3.4.1 KIO_4基抛光液对RuTa合金抛光速率的研究 | 第64页 |
3.4.2 RuTa合金在KIO_4基抛光液中的腐蚀机理 | 第64-66页 |
3.5 本章小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
第四章 H_2O_2基抛光液对Mo CMP的研究 | 第71-100页 |
4.1 Mo在H_2O_2溶液中的氧化产物 | 第72-75页 |
4.2 H_2O_2作为氧化剂对Mo的抛光速率研究 | 第75-79页 |
4.3 硫酸铵在H_2O_2体系中对Mo抛光的影响 | 第79-86页 |
4.4 硅溶胶在H_2O_2基抛光液中对Mo腐蚀的影响 | 第86-88页 |
4.5 H_2O_2基无磨料抛光液对Mo的抛光 | 第88-90页 |
4.6 甘氨酸在H_2O_2基抛光液中对Mo抛光的影响 | 第90-91页 |
4.7 H_2O_2基无磨料抛光液对图形片的抛光 | 第91-95页 |
4.8 本章小结 | 第95-96页 |
参考文献 | 第96-100页 |
第五章 碘酸钾基抛光液对Mo化学机械抛光的研究 | 第100-122页 |
5.1 Mo在KIO_3溶液中的氧化产物 | 第101-104页 |
5.2 KIO_3作为氧化剂对Mo的抛光速率研究 | 第104-105页 |
5.3 pH值对Mo的静态腐蚀及抛光速率的影响 | 第105-110页 |
5.4 KIO_3基抛光液对Mo的抛光机理 | 第110-115页 |
5.5 KIO_3抛光液中Mo与Cu的电偶腐蚀 | 第115-117页 |
5.6 图形片的抛光 | 第117-118页 |
5.7 本章小结 | 第118-120页 |
参考文献 | 第120-122页 |
第六章 总结及展望 | 第122-125页 |
6.1 全文总结 | 第122-123页 |
6.2 展望 | 第123-125页 |
附录Ⅰ:致谢 | 第125-126页 |
附录Ⅱ:与本学位论文相关且第一作者发表论文目录 | 第126-127页 |