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新型铜互连扩散阻挡层钌、钌钽合金、钼基薄膜的化学机械抛光性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第9-37页
    1.1 引言第9-11页
    1.2 化学机械抛光第11-19页
        1.2.1 化学机械抛光简介第11-12页
        1.2.2 化学机械抛光的动力学原理第12-14页
        1.2.3 化学机械抛光设备第14-15页
        1.2.4 化学机械抛光液第15-19页
        1.2.5 影响CMP的物理因素第19页
    1.3 化学机械抛光在Cu互连中的应用第19-22页
    1.4 Cu互连阻挡粘附层的化学机械抛光研究进展第22-25页
        1.4.1 Ta阻挡层的化学机械抛光第22-23页
        1.4.2 Ru阻挡层的化学机械抛光第23-24页
        1.4.3 Mo阻挡层的化学机械抛光第24-25页
    1.5 本论文的研究目的与内容第25-26页
    参考文献第26-37页
第二章 实验设备及理论方法简介第37-47页
    2.1 本工作重要实验设备介绍第37-40页
        2.1.1 化学机械抛光设备第37-38页
        2.1.2 电化学工作站第38-40页
        2.1.3 其他实验仪器第40页
    2.2 实验方法及原理简介第40-45页
        2.2.1 化学机械抛光第40-41页
        2.2.2 静态腐蚀第41-42页
        2.2.3 样品表征方法第42-43页
        2.2.4 电化学方法在CMP中的应用第43-45页
    2.3 实验耗材第45页
    参考文献第45-47页
第三章 甘氨酸在KIO_4基的抛光液中对Ru CMP的作用第47-71页
    3.1 KIO_4作为氧化剂对RuCMP的研究第49-50页
    3.2 甘氨酸在KIO_4基抛光液中作为抑制剂对Ru CMP的研究第50-63页
        3.2.1 甘氨酸对抛光液体系稳定性的影响第50-52页
        3.2.2 甘氨酸对Ru与Cu静态腐蚀速率的影响第52-54页
        3.2.3 甘氨酸对Ru与Cu抛光速率的影响第54-57页
        3.2.4 甘氨酸在KIO_4基溶液中对Ru与Cu的作用机理第57-63页
    3.4 KIO_4基抛光液对RuTa合金CMP的研究第63-66页
        3.4.1 KIO_4基抛光液对RuTa合金抛光速率的研究第64页
        3.4.2 RuTa合金在KIO_4基抛光液中的腐蚀机理第64-66页
    3.5 本章小结第66-67页
    参考文献第67-71页
第四章 H_2O_2基抛光液对Mo CMP的研究第71-100页
    4.1 Mo在H_2O_2溶液中的氧化产物第72-75页
    4.2 H_2O_2作为氧化剂对Mo的抛光速率研究第75-79页
    4.3 硫酸铵在H_2O_2体系中对Mo抛光的影响第79-86页
    4.4 硅溶胶在H_2O_2基抛光液中对Mo腐蚀的影响第86-88页
    4.5 H_2O_2基无磨料抛光液对Mo的抛光第88-90页
    4.6 甘氨酸在H_2O_2基抛光液中对Mo抛光的影响第90-91页
    4.7 H_2O_2基无磨料抛光液对图形片的抛光第91-95页
    4.8 本章小结第95-96页
    参考文献第96-100页
第五章 碘酸钾基抛光液对Mo化学机械抛光的研究第100-122页
    5.1 Mo在KIO_3溶液中的氧化产物第101-104页
    5.2 KIO_3作为氧化剂对Mo的抛光速率研究第104-105页
    5.3 pH值对Mo的静态腐蚀及抛光速率的影响第105-110页
    5.4 KIO_3基抛光液对Mo的抛光机理第110-115页
    5.5 KIO_3抛光液中Mo与Cu的电偶腐蚀第115-117页
    5.6 图形片的抛光第117-118页
    5.7 本章小结第118-120页
    参考文献第120-122页
第六章 总结及展望第122-125页
    6.1 全文总结第122-123页
    6.2 展望第123-125页
附录Ⅰ:致谢第125-126页
附录Ⅱ:与本学位论文相关且第一作者发表论文目录第126-127页

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