| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-32页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第15-17页 |
| 1.2 位错简介 | 第17-20页 |
| 1.2.1 Burgers矢量 | 第17-19页 |
| 1.2.2 位错的基本类型 | 第19-20页 |
| 1.3 半导体中的位错 | 第20-30页 |
| 1.3.1 Shufe-glide 之争 | 第23-24页 |
| 1.3.2 30 和90 部分位错 | 第24-27页 |
| 1.3.3 螺位错 | 第27-28页 |
| 1.3.4 60 位错 | 第28-30页 |
| 1.4 本文的结构 | 第30-32页 |
| 第2章 分子模拟方法简介 | 第32-51页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第32-40页 |
| 2.2.1 多体问题 | 第32-33页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第33-34页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方法 | 第34-36页 |
| 2.2.4 交换相关泛函 | 第36-37页 |
| 2.2.5 赝势 | 第37-39页 |
| 2.2.6 基组 | 第39-40页 |
| 2.3 经典分子动力学 | 第40-47页 |
| 2.3.1 分子动力学基本原理 | 第40-41页 |
| 2.3.2 势函数 | 第41-45页 |
| 2.3.3 应力、温度控制 | 第45-47页 |
| 2.4 最低能量路径搜寻算法 | 第47-49页 |
| 2.5 优化算法 | 第49-50页 |
| 2.5.1 最速下降法 | 第49页 |
| 2.5.2 共轭梯度法 | 第49-50页 |
| 2.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第3章 位错建模 | 第51-63页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 各向异性介质中的直线位错弹性场 | 第52-54页 |
| 3.3 硅中的shufe 型 60 位错 | 第54-60页 |
| 3.3.1 晶格常数和弹性常数 | 第54-56页 |
| 3.3.2 边界条件的影响 | 第56-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-63页 |
| 第4章 Si中位错成核模拟 | 第63-86页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 体硅中空位盘位错成核 | 第64-75页 |
| 4.2.1 计算模型与模拟方法 | 第64-65页 |
| 4.2.2 屈服强度 | 第65-67页 |
| 4.2.3 塑性的产生 | 第67-75页 |
| 4.3 硅纳米线表面台阶位错成核 | 第75-81页 |
| 4.3.1 模型构造与模拟方法 | 第75-76页 |
| 4.3.2 屈服强度 | 第76-77页 |
| 4.3.3 滑移系统 | 第77-81页 |
| 4.4 讨论 | 第81-84页 |
| 4.4.1 应变率 | 第81-82页 |
| 4.4.2 位错类型 | 第82-84页 |
| 4.5 本章小结 | 第84-86页 |
| 第5章 Shufe型 60 位错芯结构 | 第86-100页 |
| 5.1 引言 | 第86页 |
| 5.2 方法与模型 | 第86-90页 |
| 5.2.1 方法 | 第86-88页 |
| 5.2.2 模型 | 第88-90页 |
| 5.3 位错芯稳定结构 | 第90-92页 |
| 5.3.1 分子动力学计算构型 | 第90-91页 |
| 5.3.2 第一性原理计算构型 | 第91-92页 |
| 5.4 稳态结构转化机制 | 第92-95页 |
| 5.5 稳态位错的运动性质 | 第95-99页 |
| 5.6 本章小结 | 第99-100页 |
| 第6章 Shufe 型 60 位错的运动性质 | 第100-110页 |
| 6.1 前言 | 第100-101页 |
| 6.2 模型与方法 | 第101-104页 |
| 6.3 Peierls应力 | 第104-106页 |
| 6.4 T = 0.1 K 下位错的滑移 | 第106-108页 |
| 6.5 本章小结 | 第108-110页 |
| 第7章 Shufe 型 60 位错与空位团的相互作用 | 第110-125页 |
| 7.1 前言 | 第110页 |
| 7.2 Shufe 型 60 位错与环形六空位的相互作用 | 第110-116页 |
| 7.2.1 方法与模型 | 第111-112页 |
| 7.2.2 无外力作用下的空位-位错相互作用 | 第112-115页 |
| 7.2.3 六空位密度对临界剪应力的影响 | 第115-116页 |
| 7.3 Shufe 型 60 位错与空位盘的相互作用 | 第116-124页 |
| 7.3.1 模型与方法 | 第116-117页 |
| 7.3.2 无热作用下位错与空位盘的相互作用 | 第117-119页 |
| 7.3.3 低温下位错与空位盘的相互作用 | 第119-120页 |
| 7.3.4 [11ˉ0]方向剪应变加载 | 第120-124页 |
| 7.4 本章小结 | 第124-125页 |
| 结论 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-139页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其他成果 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 个人简历 | 第142页 |
