| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 前言 | 第6-18页 |
| 1.1 引言 | 第6-7页 |
| 1.2 集成电路接触工艺发展简史 | 第7-10页 |
| 1.3 SALICIDE常用硅化物特性介绍 | 第10-16页 |
| 1.3.1 TiSi_2 | 第10-13页 |
| 1.3.2 CoSi_2 | 第13-14页 |
| 1.3.3 NiSi | 第14-16页 |
| 1.4 Ni-Co合金硅化物及本论文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 Ni-Co合金硅化物样品的制备 | 第18-24页 |
| 2.1 Co-Ni合金硅化物薄膜样品的制备 | 第18-20页 |
| 2.1.1 衬底硅片的处理 | 第18页 |
| 2.1.2 物理气相淀积(PVD)Co-Ni合金薄膜 | 第18-19页 |
| 2.1.3 对样品进行快速热处理(RTP) | 第19-20页 |
| 2.2 样品测试方法简介 | 第20-24页 |
| 2.2.1 四探针仪测量薄膜方块电阻 | 第20-21页 |
| 2.2.2 激光拉曼光谱 | 第21-22页 |
| 2.2.3 X射线衍射 | 第22-23页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第23-24页 |
| 第三章 Ni-Co合金硅化反应特性研究 | 第24-47页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 0%Co-100%Ni 合金硅化反应特性 | 第24-28页 |
| 3.3 25%Co-75%Ni 合金硅化反应特性 | 第28-31页 |
| 3.4 50%Co-50%Ni 合金硅化反应特性 | 第31-36页 |
| 3.5 75%Co-25%Ni 合金硅化反应特性 | 第36-39页 |
| 3.6 100%Co-0%Ni 合金硅化反应特性 | 第39-44页 |
| 3.7 Co-Ni合金硅化物的品格结构和外延性研究 | 第44-45页 |
| 3.8 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 形成超薄Co-Ni合金二硅化物的反应动力学研究 | 第47-52页 |
| 4.1 引言 | 第47-49页 |
| 4.2 Ni-Co合金硅化反应的动力学解释 | 第49-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 总结和展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
