硅上原子层沉积与物理气相沉积Pt薄膜的技术研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 第二章 薄膜沉积及退火技术 | 第12-29页 |
| 2.1 原子层沉积 | 第12-21页 |
| 2.1.1 原子层沉积简介 | 第12页 |
| 2.1.2 原子层沉积原理 | 第12-14页 |
| 2.1.3 原子层沉积条件 | 第14-16页 |
| 2.1.4 原子层沉积特点 | 第16-20页 |
| 2.1.5 原子层沉积应用 | 第20-21页 |
| 2.2 物理气相沉积 | 第21-25页 |
| 2.2.1 物理气相沉积简介 | 第21-22页 |
| 2.2.2 真空蒸镀 | 第22页 |
| 2.2.3 溅射镀膜 | 第22-23页 |
| 2.2.4 电弧等离子体镀膜 | 第23页 |
| 2.2.5 离子镀膜 | 第23-25页 |
| 2.3 其他薄膜沉积技术 | 第25-26页 |
| 2.3.1 分子束外延法(MBE) | 第25页 |
| 2.3.2 化学气相淀积(CVD) | 第25页 |
| 2.3.3 脉冲激光沉积法(PLD) | 第25-26页 |
| 2.4 硅化物及退火技术 | 第26-29页 |
| 第三章 原子层沉积Pt薄膜 | 第29-59页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 样品制备和实验方法 | 第29-31页 |
| 3.2.1 硅片的清洗过程 | 第29-30页 |
| 3.2.2 样品制备方法 | 第30-31页 |
| 3.3 原子层沉积Pt薄膜实验 | 第31-33页 |
| 3.4 实验结果及讨论 | 第33-58页 |
| 3.4.1 AFM分析 | 第33-38页 |
| 3.4.2 SEM分析 | 第38-42页 |
| 3.4.3 XPS分析 | 第42-45页 |
| 3.4.4 TEM分析 | 第45-53页 |
| 3.4.5 解决中间氧化层问题 | 第53-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 微波退火及快速热退火 | 第59-64页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 样品制备和实验方法 | 第59-61页 |
| 4.2.1 衬底准备过程 | 第59-60页 |
| 4.2.2 物理气相沉积Pt薄膜实验 | 第60-61页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第61-64页 |
| 第五章 全文总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
