| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 ZnO 晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO 薄膜及其基本特性 | 第11页 |
| 1.4 ZnO 薄膜晶体缺陷 | 第11-13页 |
| 1.5 ZnO 薄膜的 V 掺杂 | 第13-20页 |
| 1.5.1 ZnO:V 光学特性 | 第14页 |
| 1.5.2 ZnO:V 电性能 | 第14-18页 |
| 1.5.2.1 压敏电阻电学特性 | 第14-15页 |
| 1.5.2.2 ZnO 压敏陶瓷结构和压敏机理 | 第15-17页 |
| 1.5.2.3 ZnO 薄膜压敏电阻研究动态 | 第17-18页 |
| 1.5.3 ZnO:V 磁性能 | 第18-20页 |
| 1.5.3.1 稀磁半导体的基本性质 | 第18页 |
| 1.5.3.2 稀磁半导体的机理 | 第18-19页 |
| 1.5.3.3 ZnO:V 稀磁半导体薄膜研究进展 | 第19-20页 |
| 1.6 本课题的研究内容及意义 | 第20-22页 |
| 第2章 实验方法与表征原理 | 第22-29页 |
| 2.1 ZnO:V 薄膜的制备 | 第22-23页 |
| 2.2 ZnO:V 薄膜厚度的表征 | 第23-24页 |
| 2.3 ZnO:V 薄膜结构的表征 | 第24-25页 |
| 2.3.1 薄膜物相和结构表征 | 第24-25页 |
| 2.3.2 SEM 形貌观察 | 第25页 |
| 2.4 ZnO:V 薄膜光学性能表征 | 第25页 |
| 2.5 ZnO:V 薄膜电学性能的表征 | 第25-28页 |
| 2.5.1 V-I 曲线测试 | 第25-27页 |
| 2.5.2 阻抗测试 | 第27-28页 |
| 2.6 ZnO:V 薄膜磁性能表征 | 第28-29页 |
| 第3章 ZnO:V 薄膜结构研究 | 第29-43页 |
| 3.1 基底温度对 ZnO:V 结构的影响 | 第29-33页 |
| 3.2 氧气分压对 ZnO:V 结构的影响 | 第33-36页 |
| 3.3 溅射总气压对 ZnO:V 结构的影响 | 第36-39页 |
| 3.4 V 含量对 ZnO:V 结构的影响 | 第39-43页 |
| 第4章 ZnO:V 薄膜光学性能研究 | 第43-48页 |
| 4.1 基底温度对 ZnO:V 薄膜光学性能的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 溅射总气压对 ZnO:V 薄膜光学性能的影响 | 第44-45页 |
| 4.3 氧分压对 ZnO:V 薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 V 含量对 ZnO:V 薄膜光学性能的影响 | 第46-48页 |
| 第5章 ZnO:V 薄膜电性能研究 | 第48-58页 |
| 5.1 基底温度对 ZnO:V 薄膜电性能的影响 | 第48-50页 |
| 5.2 氧分压对 ZnO:V 薄膜电性能的影响 | 第50-53页 |
| 5.3 厚度对 ZnO:V 薄膜电性能的影响 | 第53-54页 |
| 5.4 电极材料对 ZnO:V 薄膜电性能的影响 | 第54-56页 |
| 5.5 V 含量对 ZnO:V 薄膜电性能的影响 | 第56-58页 |
| 第6章 ZnO:V 薄膜磁性能研究 | 第58-63页 |
| 6.1 基底温度对 ZnO:V 薄膜的磁性能的影响 | 第58-59页 |
| 6.2 溅射总气压对 ZnO:V 薄膜的磁性能的影响 | 第59-61页 |
| 6.3 氧气分压对 ZnO:V 薄膜的磁性能的影响 | 第61-62页 |
| 6.4 V 含量对 ZnO:V 薄膜的磁性能的影响 | 第62-63页 |
| 全文总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
