| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 氧化硅薄膜的应用 | 第8-9页 |
| 1.3 氧化硅薄膜制备方法国内外研究状况及发展趋势 | 第9-12页 |
| 1.3.1 物理气相沉积(PVD) | 第9-10页 |
| 1.3.2 化学气相沉积(CVD) | 第10-11页 |
| 1.3.3 热氧化法 | 第11页 |
| 1.3.4 溶胶凝胶法 | 第11页 |
| 1.3.5 液相沉积法 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文主要研究的内容 | 第12-13页 |
| 1.4.1 等离子体增强化学气相沉积技术理论基础与分析 | 第12页 |
| 1.4.2 通过实验优化各沉积条件 | 第12-13页 |
| 第2章 等离子体增强化学气相沉积技术理论 | 第13-23页 |
| 2.1 等离子体概论 | 第13-15页 |
| 2.1.1 等离子体的基本概念和性质 | 第13页 |
| 2.1.2 等离子体的特性参数描述 | 第13-15页 |
| 2.2 辉光放电等离子体的物理基础 | 第15-17页 |
| 2.2.1 辉光放电装置 | 第15页 |
| 2.2.2 辉光放电原理 | 第15-17页 |
| 2.3 等离子体化学气相沉积技术 | 第17-20页 |
| 2.3.1 等离子体增强化学气相沉积的主要过程 | 第17页 |
| 2.3.2 等离子体内的化学反应 | 第17-19页 |
| 2.3.3 生长表面的成膜反应 | 第19-20页 |
| 2.4 等离子体增强化学气相沉积技术成膜的优点 | 第20页 |
| 2.5 PECVD 氧化硅薄膜应力 | 第20-23页 |
| 第3章 氧化硅薄膜制备工艺 | 第23-25页 |
| 3.1 实验研究路线 | 第23页 |
| 3.2 实验设备及材料 | 第23-24页 |
| 3.3 氧化硅薄膜制备 | 第24-25页 |
| 3.3.1 基片前处理 | 第24页 |
| 3.3.2 实验工艺流程 | 第24-25页 |
| 第4章 实验结果及分析 | 第25-35页 |
| 4.1 PECVD 中各个生长条件对薄膜生长的影响 | 第25-31页 |
| 4.1.1 衬底温度对生长的影响 | 第25-26页 |
| 4.1.2 RF（射频）功率对薄膜生长的影响 | 第26-27页 |
| 4.1.3 真空生长室压力对薄膜生长的影响 | 第27-28页 |
| 4.1.4 气体流量比对薄膜生长的影响 | 第28-29页 |
| 4.1.5 生长时间对薄膜生长的影响 | 第29-31页 |
| 4.2 对 PECVD 中各个生长条件的选择分析实验 | 第31-33页 |
| 4.2.1 对衬底温度的分析 | 第31-32页 |
| 4.2.2 对 RF 射频功率的分析 | 第32页 |
| 4.2.3 对真空室压力的分析 | 第32页 |
| 4.2.4 对气体通量的分析 | 第32-33页 |
| 4.3 验证二氧化硅薄膜绝缘性实验及分析 | 第33-35页 |
| 第5章 总结 | 第35-37页 |
| 致谢 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-43页 |
