当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
非极性GaN载流子各向异性输运特性研究
纳米双栅MOSFET器件中单杂质效应研究
高κ栅介质NdAlO3经时击穿特性研究
Si基双轴应变材料应变性能与关键工艺相关性研究
GaAs MOS结构界面特性研究
非极性GaN材料的生长及退火温度研究
CCD芯片关键性能参数的测量系统及其测量方法设计
高Al组份薄势垒GaN基异质结研究
AlGaN/GaN场效应肖特基二极管（FESBD）性能分析
非极性AlGaN/GaN异质结二维电子气各向异性输运特性研究
三栅FinFET电学特性仿真分析与研究
SiC衬底石墨烯生长机理及电学特征
SiC MOS的介质层/SiC界面特性研究
高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT特性研究
SiC基IMPATT器件及其振荡器研究
氮化镓太赫兹耿氏器件外延生长研究
SOI器件的总剂量辐照特性与加固电路设计技术研究
蓝宝石衬底上N面GaN基异质结构材料研究
4H-SiC厚膜外延工艺研究
新型结构SiC VDMOSFET研究
AlGaN/GaN HEMT建模及GaN MMIC设计
台阶场板结构4H-SiC高压肖特基二极管的研究
GaN基增强型器件及AlGaN/GaN二次生长的研究
GaAs基PIN限幅器设计与研究
碳化硅外延石墨烯工艺探讨及石墨烯微观摩擦学性能研究
InP HBT器件大信号模型研究
4H-SiC功率FJ-SBD的实验研究
GaN基HEMTs器件表面态及界面态研究
应用于LED驱动系统中的IP核研究与设计
ZnO薄膜晶体管的模型与研究
新型氮化铟基太赫兹耿氏二极管研究
F等离子体处理GaN E/D模电路工艺与设计
SOI PMOS器件在总剂量辐照下的特性退化与物理机理研究
RPCVD生长SiGe材料的CFD模拟研究
GaN基紫外LED外延p型结构与工艺研究
两种新颖结构4H-SiC功率MOSFET的模拟与性能分析
氮化镓基发光二极管抗静电性能改进的研究
超深亚微米器件单粒子辐射新效应的物理机理研究
功率VDMOS器件的低温可靠性研究
GaN基凹槽栅MIS-HEMT器件的研制及可靠性分析
一款正弦反激式白光LED驱动芯片设计
功率MOSFET器件的SEB和SEGR效应研究
F等离子体处理增强型AlGaN/GaN HEMT的可靠性研究
AlGaN/GaN肖特基二极管特性分析及结构优化
一款峰值电流模升压型白光LED驱动芯片XD8816的设计
渐变AlGaN加速层GaN耿氏二极管的研究
基于SOI工艺MOS器件的辐照效应研究
GaN基材料位错表征与抑制方法研究
高功率微波引起MOSFET失效典型机理研究
单轴应变硅纳米CMOS设计研究
上一页
[112]
[113]
[114]
[115]
[116]
下一页
