| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·课题背景及其研究意义 | 第7-8页 |
| ·研究现状和国内外发展趋势 | 第8页 |
| ·论文的研究目的和工作安排 | 第8-11页 |
| 第二章 石墨烯的制备与表征 | 第11-17页 |
| ·石墨烯材料特点 | 第11-13页 |
| ·石墨烯的基本结构 | 第11-12页 |
| ·石墨烯的电学性质及其应用 | 第12-13页 |
| ·石墨烯的制备 | 第13-14页 |
| ·微机械剥离法 | 第13页 |
| ·化学气相沉积法(CVD 法) | 第13页 |
| ·氧化-还原法 | 第13页 |
| ·碳化硅外延石墨烯法 | 第13-14页 |
| ·石墨烯的表征 | 第14-15页 |
| ·石墨烯的 Raman 表征 | 第14-15页 |
| ·石墨烯的 AFM 表征 | 第15页 |
| ·本章总结 | 第15-17页 |
| 第三章 碳化硅高温外延石墨烯的工艺过程及其表征 | 第17-33页 |
| ·碳化硅高温外延石墨烯的机制 | 第17-18页 |
| ·碳化硅高温外延石墨烯的工艺过程 | 第18-19页 |
| ·碳化硅高温外延石墨烯 | 第19-31页 |
| ·6H-SiC(0001)外延大面积石墨烯 | 第19-22页 |
| ·6H-SiC(000-1)外延大面积石墨烯 | 第22-25页 |
| ·4H-SiC 外延大面积石墨烯 | 第25-28页 |
| ·碳化硅盖帽对形成石墨烯的影响 | 第28-31页 |
| ·本章总结 | 第31-33页 |
| 第四章 碳化硅衍生碳制备碳薄膜 | 第33-41页 |
| ·碳化硅衍生碳制备碳薄膜的机制 | 第33页 |
| ·6H-SiC 衍生碳制备碳薄膜的工艺过程 | 第33-34页 |
| ·6H-SiC 衍生碳制备碳薄膜 | 第34-38页 |
| ·Cu 片盖帽诱导碳原子重组形成石墨烯 | 第38-39页 |
| ·本章总结 | 第39-41页 |
| 第五章 碳化硅高温外延石墨烯的微观摩擦学性能 | 第41-49页 |
| ·6H-SiC 硅面高温外延石墨烯的微观摩擦学性能 | 第41-45页 |
| ·石墨烯的制备和微观摩擦性能测试 | 第41-42页 |
| ·结果及其分析 | 第42-45页 |
| ·6H-SiC 碳面高温外延石墨烯的微观摩擦学性能 | 第45-48页 |
| ·石墨烯的制备和微观摩擦性能测试 | 第45-46页 |
| ·结果及其分析 | 第46-48页 |
| ·本章总结 | 第48-49页 |
| 第六章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第57-58页 |