| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·功率 MOSFET 器件简介 | 第8-9页 |
| ·空间辐射环境 | 第9页 |
| ·单粒子效应 | 第9页 |
| ·SEB 和 SEGR 效应研究现状及立项背景 | 第9-12页 |
| ·SEB 和 SEGR 效应机理 | 第9-11页 |
| ·试验技术 | 第11页 |
| ·仿真技术 | 第11页 |
| ·立项背景 | 第11-12页 |
| ·论文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 效应机理研究 | 第14-30页 |
| ·三类功率 MOSFET 器件工艺与结构 | 第14-16页 |
| ·VDMOS 器件的工艺与结构 | 第14页 |
| ·LDMOS 器件的工艺与结构 | 第14-15页 |
| ·Trech MOSFET 器件的工艺与结构 | 第15-16页 |
| ·三类功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 效应机理分析 | 第16-19页 |
| ·VDMOS 器件 SEB 效应的机理分析 | 第16页 |
| ·VDMOS 器件 SEGR 效应的机理分析 | 第16-17页 |
| ·LDMOS 器件 SEB 效应的机理分析 | 第17-18页 |
| ·LDMOS 器件 SEGR 效应的机理分析 | 第18页 |
| ·Trench MOSFET 器件 SEB 效应的机理分析 | 第18-19页 |
| ·Trench MOSFET 器件 SEGR 效应的机理分析 | 第19页 |
| ·Trench MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 效应数值模拟 | 第19-29页 |
| ·器件数值模拟简介 | 第19-21页 |
| ·Trench MOSFET 器件 SEB 效应三维数值模拟 | 第21-28页 |
| ·Trench MOS 器件 SEGR 效应数值模拟 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 测试系统建立 | 第30-42页 |
| ·试验技术 | 第30-33页 |
| ·功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 测试系统原理 | 第33页 |
| ·国内外功率 MOSFET 器件测试技术现状 | 第33页 |
| ·功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 测试系统原理 | 第33页 |
| ·功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 的测试系统硬件设计 | 第33-38页 |
| ·漏极电路设计 | 第34-36页 |
| ·栅源电路设计 | 第36-38页 |
| ·功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 的测试系统软件设计 | 第38-40页 |
| ·上位机软件 | 第38-39页 |
| ·下位机软件 | 第39-40页 |
| ·测试系统的关键技术 | 第40-41页 |
| ·测试系统达到的技术指标 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第四章 功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 效应试验研究 | 第42-54页 |
| ·试验样品 | 第42-43页 |
| ·试验仪器 | 第43页 |
| ·测试原理 | 第43页 |
| ·试验条件 | 第43-46页 |
| ·252^Cf 源单粒子效应试验平台 | 第43-45页 |
| ·注量率 | 第45页 |
| ·电源偏置 | 第45-46页 |
| ·功率 MOSFET 器件单粒子效应试验结果 | 第46-52页 |
| ·VDMOS 器件 SEB 效应试验结果 | 第46-48页 |
| ·VDMOS 器件 SEGR 效应试验结果 | 第48-49页 |
| ·LDMOS 器件 SEB 效应试验结果 | 第49-51页 |
| ·LDMOS 器件 SEGR 效应试验结果 | 第51页 |
| ·Trench MOSFET 器件 SEB 效应试验结果 | 第51-52页 |
| ·Trench MOSFET 器件 SEGR 效应试验结果 | 第52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第五章 研究总结 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 A 功率 MOSFET 器件 SEB 和 SEGR 效应试验方法规范 | 第62-75页 |
