新型氮化铟基太赫兹耿氏二极管研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·太赫兹波简介 | 第10-15页 |
| ·太赫兹波的特点 | 第11页 |
| ·太赫兹波的主要应用领域 | 第11-13页 |
| ·太赫兹波辐射源 | 第13-15页 |
| ·耿氏二极管概述 | 第15-17页 |
| ·本论文的主要成果及章节安排 | 第17-20页 |
| 第二章 InN 材料的电子输运特性 | 第20-44页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物 | 第20-22页 |
| ·InN 材料特性 | 第22-34页 |
| ·InN 的禁带宽度争议 | 第24-27页 |
| ·电子速场的蒙特卡罗方法仿真 | 第27-34页 |
| ·迁移率模型 | 第34-43页 |
| ·低场 FMCT 迁移率模型 | 第34-38页 |
| ·高场迁移率模型 | 第38-43页 |
| ·本章小节 | 第43-44页 |
| 第三章 耿氏二极管的器件级仿真 | 第44-58页 |
| ·耿氏二极管的原理 | 第44-48页 |
| ·耿氏效应 | 第44-45页 |
| ·耿氏器件的原理 | 第45-48页 |
| ·耿氏二极管的设计 | 第48-49页 |
| ·InN 和 GaN 耿氏二极管的器件级仿真 | 第49-56页 |
| ·本章小节 | 第56-58页 |
| 第四章 耿氏二极管的电路级仿真 | 第58-70页 |
| ·MIXEDMODE 介绍 | 第58-59页 |
| ·耿氏二极管的调谐 | 第59-61页 |
| ·耿氏二极管电路调谐振荡的原理 | 第59-60页 |
| ·耿氏二极管的调谐 | 第60-61页 |
| ·InN 和 GaN 耿氏二极管的电路级仿真 | 第61-68页 |
| ·本章小节 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第80-81页 |
| 参与科研项目 | 第80页 |
| 论文成果 | 第80-81页 |
