| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·基于 Si 材料器件特征尺寸的缩小以及带来的问题 | 第7-8页 |
| ·高 K 栅技术 | 第8-9页 |
| ·III-V 族衬底材料 | 第9-11页 |
| ·高 K 应用在 III-V 族衬底上存在的问题和挑战 | 第11-12页 |
| ·论文结构及安排 | 第12-15页 |
| 第二章 高 K 介质的制备 | 第15-25页 |
| ·传统制备方法 | 第15-17页 |
| ·CVD 法 | 第15-16页 |
| ·PVD 法 | 第16-17页 |
| ·原子层沉积技术 | 第17-23页 |
| ·原子层沉积系统 | 第17-19页 |
| ·ALD 工艺流程 | 第19-20页 |
| ·原子层沉积的前驱体 | 第20-21页 |
| ·原子层沉积的自限制性 | 第21页 |
| ·ALD 淀积薄膜的优势及应用领域 | 第21-22页 |
| ·ALD 淀积技术与其他淀积方法比较 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 GaAs MOS 高 K 介质电容实验研究 | 第25-43页 |
| ·GaAs MOS 电容制造工艺流程 | 第25页 |
| ·GaAs 表面预处理 | 第25-28页 |
| ·界面质量表征方法 | 第28-31页 |
| ·电学方法 | 第28-29页 |
| ·物理学方法 | 第29-31页 |
| ·高 K 介质/GaAs 界面特性分析 | 第31-41页 |
| ·GaAs MOS 系统的构成 | 第31-32页 |
| ·高 K 介质/GaAs 界面态成因分析 | 第32-33页 |
| ·改善 GaAs MOS 电容界面质量的方法 | 第33-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 GaAs MOS 结构界面特性的改进方法研究 | 第43-57页 |
| ·新型 MOS 结构制作及测试设计 | 第43-44页 |
| ·新型 MOS 结构界面特性测试 | 第44-54页 |
| ·TEM 测试 | 第44页 |
| ·C-V 特性测试 | 第44-47页 |
| ·界面态密度的提取 | 第47-52页 |
| ·XPS 测试 | 第52-54页 |
| ·钝化层 ZnO 改善界面质量的原因 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第65-66页 |
