| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·GaN 基异质结材料的优势及应用 | 第11-13页 |
| ·GaN 基材料的优势和特点 | 第11-12页 |
| ·GaN 基材料的应用 | 第12-13页 |
| ·GaN 基材料的生长工艺 | 第13-18页 |
| ·GaN 晶体薄膜外延生长技术概述 | 第13-16页 |
| ·GaN 晶体薄膜外延生长的衬底材料 | 第16页 |
| ·MOCVD 技术生长 GaN 晶体薄膜 | 第16-18页 |
| ·增强型器件研究现状 | 第18-20页 |
| ·本文主要工作与安排 | 第20-21页 |
| 第二章 AlGaN/GaN基本理论及相关的表征方法 | 第21-31页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结概述 | 第21-25页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的极化效应 | 第21-22页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的二维电子气（2DEG） | 第22-23页 |
| ·AlGaN/GaN 结构设计 | 第23-24页 |
| ·AlGaN/GaN 器件基本参数 | 第24-25页 |
| ·半导体材料表征 | 第25-29页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第26页 |
| ·高分辨率 X 射线衍射仪（HRXRD） | 第26-27页 |
| ·电容-电压（C-V） | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 增强型AlGaN/GaN器件的模拟研究 | 第31-49页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结二维电子气的模拟 | 第31-33页 |
| ·槽型沟道 AlGaN/GaN 增强型 HEMT 的模拟 | 第33-39页 |
| ·模拟采用的器件结构 | 第33-34页 |
| ·器件工作原理 | 第34-35页 |
| ·槽型沟道器件仿真结果及分析 | 第35-39页 |
| ·非连续沟道的增强型 AlGaN/GaN 器件的模拟 | 第39-46页 |
| ·模拟采用的器件结构 | 第39-40页 |
| ·器件工作原理 | 第40-41页 |
| ·仿真结果分析 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 GaN基异质结材料的二次生长研究 | 第49-65页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·ICP 及 RIE 刻蚀后的二次生长研究 | 第49-58页 |
| ·样品制备 | 第49-50页 |
| ·ICP 刻蚀以及刻蚀后的二次生长的研究 | 第50-56页 |
| ·RIE 刻蚀以及刻蚀后的二次生长的研究 | 第56-58页 |
| ·退火处理降低刻蚀损伤和提高二次生长质量的研究 | 第58-63页 |
| ·样品制备 | 第58-59页 |
| ·实验结果分析 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结束语 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读硕士期间研究成果与获奖情况 | 第75-77页 |
