| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·N 面 GaN 基材料的特性 | 第10-16页 |
| ·原子排列结构 | 第12-13页 |
| ·N 面 GaN 基材料的极化效应 | 第13-14页 |
| ·杂质原子的结合 | 第14-15页 |
| ·表面活性 | 第15页 |
| ·欧姆接触 | 第15-16页 |
| ·N 面氮化物材料的应用及发展现状 | 第16-21页 |
| ·N 面 GaN/AlGaN HEMT 器件 | 第16-19页 |
| ·N 面 GaN 基发光二极管 | 第19页 |
| ·N 面 GaN 基氢气探测器 | 第19-20页 |
| ·N 面 GaN 基材料的其它应用 | 第20-21页 |
| ·N 面氮化物材料制备以及器件加工的困难 | 第21-23页 |
| ·N 面 GaN 的制备方法 | 第21页 |
| ·N 面 GaN 基材料制备以及器件加工中的困难 | 第21-23页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第23-26页 |
| 第二章 GaN 的外延生长系统及材料表征与测试技术 | 第26-42页 |
| ·MOCVD 系统 | 第28-32页 |
| ·MOCVD 技术介绍 | 第28页 |
| ·自主研发的 MOCVD320 设备结构及工作原理介绍 | 第28-32页 |
| ·材料表征与测试技术 | 第32-40页 |
| ·X 射线衍射技术（XRD） | 第32-34页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第34-35页 |
| ·电容-电压测试（C-V） | 第35-37页 |
| ·范德堡霍尔效应测试（Van-der-Pauw Hall） | 第37-38页 |
| ·其他表征和测试技术 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 N 面 GaN 外延材料的 MOCVD 生长参数研究及材料质量优化 | 第42-84页 |
| ·N 面 GaN 外延生长所用衬底以及生长初期工艺条件的影响 | 第43-59页 |
| ·衬底的影响 | 第43-47页 |
| ·表面氮化处理 | 第47-50页 |
| ·成核层生长对 N 面 GaN 特性的影响 | 第50-59页 |
| ·N 面 GaN 缓冲层的生长优化 | 第59-76页 |
| ·O、C、H、Si 杂质在 N 面 GaN 基材料中的并入 | 第61-62页 |
| ·生长温度对 N 面 GaN 表面形貌的影响 | 第62页 |
| ·五三比对 N 面 GaN 特性的影响 | 第62-68页 |
| ·高五三比 GaN 插入层对 N 面 GaN 特性的影响 | 第68-76页 |
| ·AlGaN 缓冲层对 N 面 GaN 特性的影响 | 第76-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第四章 N 面 GaN/AlGaN 异质结构研究 | 第84-104页 |
| ·异质结构理论 | 第84-86页 |
| ·不同 N 面 GaN 基 GaN/AlGaN 异质结构设计与生长 | 第86-88页 |
| ·N 面 GaN 基 GaN/AlGaN 异质结结构参数对材料特性的影响 | 第88-101页 |
| ·GaN 沟道层厚度对 N 面 GaN/AlGaN 异质结特性的影响 | 第88-94页 |
| ·AlN 插入层对 N 面 GaN/AlGaN 异质结特性影响 | 第94-95页 |
| ·AlGaN 帽层对 N 面 GaN/AlGaN 异质结特性影响 | 第95-99页 |
| ·AlGaN 渐变组份势垒层对 N 面 GaN/AlGaN 异质结特性影响 | 第99-101页 |
| ·本章小结 | 第101-104页 |
| 第五章 总结和展望 | 第104-108页 |
| ·总结 | 第104-105页 |
| ·展望 | 第105-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第120-122页 |
