| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·碳化硅材料的优势 | 第7-8页 |
| ·功率 MOSFET 的优点及国内外发展现状 | 第8-9页 |
| ·半超结 SiC MOSFET | 第9-11页 |
| ·浮岛 SiCMOSFET | 第11-12页 |
| ·本文主要工作 | 第12-15页 |
| 第二章 SiC 功率 MOSFET 器件基础及新型结构 | 第15-25页 |
| ·SiCVDMOSFET 工作原理及重要电学参数 | 第15-19页 |
| ·SiCVDMOSFET 的结构及工作原理 | 第15-17页 |
| ·SiCVDMOSFET 的导通电阻 | 第17-18页 |
| ·SiCVDMOSFET 转移特性 | 第18-19页 |
| ·SiC VDMOSFET 器件制备的关键工艺 | 第19-20页 |
| ·几种较为先进的 SiC MOSFET 结构 | 第20-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 Sentaurus 仿真软件介绍 | 第25-29页 |
| ·Sentaurus 仿真工具求解的基本方程 | 第25页 |
| ·SiC 物理模型及材料参数的选取 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 4H-SiC 半超结 MOSFET 的性能仿真 | 第29-37页 |
| ·SiC 半超结 MOSFET 击穿机理分析 | 第30-31页 |
| ·超结参数变化对半超结 MOSFET 耐压的影响 | 第31-33页 |
| ·超结结构不同掺杂浓度下器件特性 | 第31页 |
| ·电荷失配对器件性能的影响 | 第31-33页 |
| ·BAL 参数变化对器件特性的影响 | 第33-36页 |
| ·BAL 掺杂浓度对 I-V 特性的影响 | 第33-34页 |
| ·BAL 掺杂浓度对转移特性的影响 | 第34页 |
| ·器件的准饱和效应 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 浮岛 MOSFET 的特性仿真 | 第37-47页 |
| ·4H-SiC 浮岛 MOSFET 击穿机理分析 | 第37-42页 |
| ·FLI 不同位置时的击穿情况 | 第38-39页 |
| ·FLI 不同长度时的击穿情况 | 第39-40页 |
| ·不同外延层浓度时的击穿情况 | 第40-42页 |
| ·不同 FLI 数量时的器件性能仿真结果及分析 | 第42-45页 |
| ·FLI 数量对输出特性的影响 | 第42页 |
| ·FLI 数量对器件转移特性的影响 | 第42-43页 |
| ·器件的准饱和效应 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 结束语 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |