| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·半导体材料的发展与GaN材料的优势 | 第9页 |
| ·GaNHEMT器件和E/D模电路的发展历程 | 第9-10页 |
| ·本文主要内容 | 第10-13页 |
| 第二章 F等离子体处理增强型AlGaN/GaNHEMT器件研制 | 第13-31页 |
| ·GaN增强型HEMT器件 | 第13-17页 |
| ·GaNHEMT器件基本原理 | 第13页 |
| ·GaN增强型HEMT器件研究进展与应用 | 第13-17页 |
| ·11nm势垒层F等离子体处理增强型AlGaN/GaNHEMT器件 | 第17-26页 |
| ·材料生长与器件结构 | 第17-18页 |
| ·F等离子体处理增强型器件流片过程 | 第18-22页 |
| ·11nm势垒层F等离子体处理增强型AlGaN/GaNHEMT器件测试与分析 | 第22-26页 |
| ·16nm势垒层F等离子体处理增强型AlGaN/GaNHEMT器件 | 第26-29页 |
| ·材料生长与流片制造 | 第26-27页 |
| ·16nm势垒层F等离子体处理增强型AlGaN/GaNHEMT器件测试与分析 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 GaN基E/D模数字电路流片与测试分析 | 第31-45页 |
| ·GaN基E/D模数字电路原理与研究进展 | 第31-33页 |
| ·GaN基E/D模数字电路制备 | 第33-35页 |
| ·GaN基E/D模数字电路直流测试与分析 | 第35-38页 |
| ·11nm势垒GaN基E/D模反相器直流测试与分析 | 第35-36页 |
| ·16nm势垒GaN基E/D模反相器直流测试与分析 | 第36-38页 |
| ·GaN基E/D模数字电路瞬态测试与分析 | 第38-44页 |
| ·11nm势垒GaN基E/D模反相器瞬态测试与分析 | 第38-40页 |
| ·16nm势垒GaN基E/D模反相器瞬态测试与分析 | 第40-43页 |
| ·GaN基E/D模与非门测试与分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 GaN基E/D模电路仿真分析 | 第45-61页 |
| ·GaN基E/D模SRAM | 第45-52页 |
| ·SRAM基本概念 | 第45-46页 |
| ·CMOSSRAM读操作 | 第46-47页 |
| ·CMOSSRAM写操作 | 第47-48页 |
| ·电阻负载SRAM单元 | 第48-49页 |
| ·E/D模SRAM | 第49页 |
| ·GaN基E/D模SRAM仿真 | 第49-52页 |
| ·GaN基E/D模移相器驱动电路 | 第52-60页 |
| ·移相器基本简介 | 第52-54页 |
| ·数字移相器参数指标 | 第54-55页 |
| ·移相器开关器件的发展与GaN器件的优势 | 第55-56页 |
| ·GaN基E/D模移相器驱动电路仿真 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-63页 |
| ·本文主要研究成果 | 第61-62页 |
| ·研究中的不足和对未来工作的展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
