| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·紫外 LED 国内外发展状况 | 第7-9页 |
| ·紫外 LED 的优势 | 第9-10页 |
| ·紫外 LED 的挑战 | 第10-11页 |
| ·本文研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 三族氮化物及 GaN基 LED的简介 | 第13-31页 |
| ·GaN 系列材料 | 第13-17页 |
| ·GaN 系列材料的优势 | 第13-14页 |
| ·GaN 系列材料结构特性 | 第14-15页 |
| ·GaN 薄膜的缺陷 | 第15-17页 |
| ·GaN 材料的制备 | 第17-23页 |
| ·外延生长中衬底材料的选择 | 第17-18页 |
| ·外延生长技术 | 第18-20页 |
| ·异质外延的生长模式 | 第20-21页 |
| ·MOCVD 生长 GaN 薄膜的机理与过程 | 第21-23页 |
| ·GaN 基紫光和紫外 LED 及其发光效率 | 第23-27页 |
| ·LED 发光二极管 | 第23页 |
| ·氮化镓基紫光和紫外 LED | 第23-24页 |
| ·氮化镓基 LED 出光效率的研究 | 第24-27页 |
| ·GaN 基 LED 的 P 型结构的局限 | 第27-29页 |
| ·P-Type 问题 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 测试表征方法及其应用 | 第31-37页 |
| ·高分辨 X 射线衍射分析 | 第31-33页 |
| ·XRD 原理 | 第31-32页 |
| ·HR-XRD 在氮化镓薄膜材料中的应用 | 第32-33页 |
| ·光致发光和电致发光的分析 | 第33-35页 |
| ·光致发光基本原理 | 第33-35页 |
| ·PL 谱在材料表征中的应用 | 第35页 |
| ·电致发光 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 P 型结构和工艺的优化 | 第37-55页 |
| ·实验的基本器件和结构 | 第37-38页 |
| ·GaN 基 LED 的 P-AlGaN 电子阻挡层的研究 | 第38-47页 |
| ·P-AlGaN 电子阻挡层 Al 组分的优化实验 | 第38-39页 |
| ·P-AlGaN 电子阻挡层优化 Al 组分实验的测试与分析 | 第39-42页 |
| ·P-AlGaN 电子阻挡层通过改变生长时间优化厚度的实验 | 第42-43页 |
| ·P-AlGaN 电子阻挡厚度优化实验测试与分析 | 第43-47页 |
| ·P-GaN 制备工艺优化 | 第47-54页 |
| ·P-GaN 的厚度和 Mg 掺杂单一参数的改变 | 第48页 |
| ·P-GaN 的厚度和 Mg 掺杂单一参数改变实验的测试与分析 | 第48-50页 |
| ·P 型 GaN 层的厚度和 Mg 掺杂同时改变 | 第50页 |
| ·P 型 GaN 层的厚度和 Mg 掺杂同时改变实验的测试与分析 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
