摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
·RPCVD 的研究意义及研究现状 | 第8-9页 |
·CFD 仿真的研究意义及研究现状 | 第9-11页 |
·正交优化的研究意义及研究现状 | 第11页 |
·本论文的主要研究工作 | 第11-14页 |
第二章 计算流体动力学基本理论 | 第14-20页 |
·计算流体力学基本方程 | 第14-16页 |
·连续性方程 | 第14-15页 |
·动量方程 | 第15页 |
·能量方程 | 第15-16页 |
·边界层理论 | 第16-17页 |
·边界层的形成 | 第16页 |
·边界层的厚度 | 第16-17页 |
·Grove 理论 | 第17-19页 |
·本章小结 | 第19-20页 |
第三章 FLUENT 软件的基本理论 | 第20-26页 |
·软件的基本构成 | 第20-21页 |
·网格划分 | 第21-23页 |
·网格划分的方式与途径 | 第21页 |
·网格划分原则与技巧 | 第21-23页 |
·网格生成技术 | 第23页 |
·结构化网格生成技术 | 第23页 |
·非结构化网格生成技术 | 第23页 |
·计算类型及应用领域 | 第23-24页 |
·FLUENT 的数值算法 | 第24-25页 |
·不同数值算法的区别 | 第24页 |
·分离式求解技术 | 第24-25页 |
·本章小结 | 第25-26页 |
第四章 SiGe RPCVD 的 FLUENT 模拟研究 | 第26-54页 |
·RPCVD 工艺原理与设备 | 第26-27页 |
·仿真模型及边界条件 | 第27-31页 |
·RPCVD 反应室结构与仿真模型 | 第27-28页 |
·网格划分及边界定义 | 第28-29页 |
·物理参数模型 | 第29-30页 |
·物质属性与流体模型 | 第30-31页 |
·反应室结构对流场分布的影响 | 第31-35页 |
·压强场分布的模拟结果 | 第31-32页 |
·密度场分布的模拟结果 | 第32-33页 |
·速度场分布的模拟结果 | 第33-34页 |
·温度场分布的模拟结果 | 第34-35页 |
·流量对流场分布的影响 | 第35-39页 |
·压强场分布的模拟结果 | 第36页 |
·密度场分布的模拟结果 | 第36-37页 |
·速度场分布的模拟结果 | 第37-38页 |
·温度场分布的模拟结果 | 第38-39页 |
·压强对流场分布的影响 | 第39-42页 |
·压强场分布的模拟结果 | 第39-40页 |
·密度场分布的模拟结果 | 第40页 |
·速度场分布的模拟结果 | 第40-41页 |
·温度场分布的模拟结果 | 第41-42页 |
·基座温度对流场分布的影响 | 第42-45页 |
·压强场分布的模拟结果 | 第42-43页 |
·密度场分布的模拟结果 | 第43-44页 |
·速度场分布的模拟结果 | 第44页 |
·温度场分布的模拟结果 | 第44-45页 |
·基座转速对流场分布的影响 | 第45-52页 |
·压强场分布的模拟结果 | 第45-47页 |
·密度场分布的模拟结果 | 第47-48页 |
·速度场分布的模拟结果 | 第48-50页 |
·温度场分布的模拟结果 | 第50-52页 |
·模型验证 | 第52页 |
·本章小结 | 第52-54页 |
第五章 FLUENT 模拟的正交法优化研究 | 第54-66页 |
·正交试验法原理 | 第54-57页 |
·正交试验法简介 | 第54页 |
·正交实验法科学性分析 | 第54-55页 |
·正交试验法基本步骤和分析方法 | 第55-56页 |
·正交表种类与选择 | 第56-57页 |
·正交实验一 | 第57-61页 |
·实验一正交表 | 第57-58页 |
·正交实验一的 FLUENT 模拟结果 | 第58-59页 |
·正交实验一的优化分析 | 第59-61页 |
·正交实验二 | 第61-65页 |
·实验二正交表 | 第61-62页 |
·实验二的 FLUENT 模拟结果 | 第62页 |
·实验二的优化分析 | 第62-65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
第六章 结论 | 第66-68页 |
·本文的工作总结 | 第66-67页 |
·SiGe 技术的展望 | 第67-68页 |
致谢 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第74-75页 |