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RPCVD生长SiGe材料的CFD模拟研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-14页
   ·RPCVD 的研究意义及研究现状第8-9页
   ·CFD 仿真的研究意义及研究现状第9-11页
   ·正交优化的研究意义及研究现状第11页
   ·本论文的主要研究工作第11-14页
第二章 计算流体动力学基本理论第14-20页
   ·计算流体力学基本方程第14-16页
     ·连续性方程第14-15页
     ·动量方程第15页
     ·能量方程第15-16页
   ·边界层理论第16-17页
     ·边界层的形成第16页
     ·边界层的厚度第16-17页
   ·Grove 理论第17-19页
   ·本章小结第19-20页
第三章 FLUENT 软件的基本理论第20-26页
   ·软件的基本构成第20-21页
   ·网格划分第21-23页
     ·网格划分的方式与途径第21页
     ·网格划分原则与技巧第21-23页
   ·网格生成技术第23页
     ·结构化网格生成技术第23页
     ·非结构化网格生成技术第23页
   ·计算类型及应用领域第23-24页
   ·FLUENT 的数值算法第24-25页
     ·不同数值算法的区别第24页
     ·分离式求解技术第24-25页
   ·本章小结第25-26页
第四章 SiGe RPCVD 的 FLUENT 模拟研究第26-54页
   ·RPCVD 工艺原理与设备第26-27页
   ·仿真模型及边界条件第27-31页
     ·RPCVD 反应室结构与仿真模型第27-28页
     ·网格划分及边界定义第28-29页
     ·物理参数模型第29-30页
     ·物质属性与流体模型第30-31页
   ·反应室结构对流场分布的影响第31-35页
     ·压强场分布的模拟结果第31-32页
     ·密度场分布的模拟结果第32-33页
     ·速度场分布的模拟结果第33-34页
     ·温度场分布的模拟结果第34-35页
   ·流量对流场分布的影响第35-39页
     ·压强场分布的模拟结果第36页
     ·密度场分布的模拟结果第36-37页
     ·速度场分布的模拟结果第37-38页
     ·温度场分布的模拟结果第38-39页
   ·压强对流场分布的影响第39-42页
     ·压强场分布的模拟结果第39-40页
     ·密度场分布的模拟结果第40页
     ·速度场分布的模拟结果第40-41页
     ·温度场分布的模拟结果第41-42页
   ·基座温度对流场分布的影响第42-45页
     ·压强场分布的模拟结果第42-43页
     ·密度场分布的模拟结果第43-44页
     ·速度场分布的模拟结果第44页
     ·温度场分布的模拟结果第44-45页
   ·基座转速对流场分布的影响第45-52页
     ·压强场分布的模拟结果第45-47页
     ·密度场分布的模拟结果第47-48页
     ·速度场分布的模拟结果第48-50页
     ·温度场分布的模拟结果第50-52页
   ·模型验证第52页
   ·本章小结第52-54页
第五章 FLUENT 模拟的正交法优化研究第54-66页
   ·正交试验法原理第54-57页
     ·正交试验法简介第54页
     ·正交实验法科学性分析第54-55页
     ·正交试验法基本步骤和分析方法第55-56页
     ·正交表种类与选择第56-57页
   ·正交实验一第57-61页
     ·实验一正交表第57-58页
     ·正交实验一的 FLUENT 模拟结果第58-59页
     ·正交实验一的优化分析第59-61页
   ·正交实验二第61-65页
     ·实验二正交表第61-62页
     ·实验二的 FLUENT 模拟结果第62页
     ·实验二的优化分析第62-65页
   ·本章小结第65-66页
第六章 结论第66-68页
   ·本文的工作总结第66-67页
   ·SiGe 技术的展望第67-68页
致谢第68-70页
参考文献第70-74页
攻读硕士研究生期间的研究成果第74-75页

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