| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·III 族氮化物材料研究意义 | 第10-12页 |
| ·ALGAN/GAN HEMT 器件研究进展 | 第12-13页 |
| ·ALGAN/GAN MOS-HEMT 器件研究进展 | 第13-14页 |
| ·高Κ叠栅 ALGAN/GAN MOS-HEMT 器件 | 第14-15页 |
| ·本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 HEMT 器件基本原理 | 第16-26页 |
| ·ALGAN/GAN MOS-HEMT 器件结构和原理 | 第16-19页 |
| ·ALGAN/GAN MOS-HEMT 器件的基本结构 | 第16页 |
| ·异质结的极化效应 | 第16-18页 |
| ·叠层栅结构的优势 | 第18-19页 |
| ·ALGAN/GAN MOS-HEMT 器件制备工艺 | 第19-24页 |
| ·栅介质材料选择 | 第19-21页 |
| ·原子层淀积生长原理 | 第21-23页 |
| ·ALGAN/GAN MOS-HEMT 器件制备工艺流程 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 ALGAN/GAN MOS-HEMT 器件模型 | 第26-34页 |
| ·器件仿真基础 | 第26-27页 |
| ·仿真软件 ISE 概述 | 第27-28页 |
| ·器件基本模型和参数 | 第28-32页 |
| ·HEMT 器件的基本参数设置 | 第28-29页 |
| ·扩散漂移模型 | 第29-30页 |
| ·载流子迁移率模型 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 槽栅型高Κ叠栅 ALGAN/GANMOS-HEMT 仿真 | 第34-60页 |
| ·器件仿真基本结构 | 第34页 |
| ·HEMT 器件一些参数对特性的影响 | 第34-40页 |
| ·栅极金属功函数的影响 | 第34-38页 |
| ·势垒层掺杂的影响 | 第38-40页 |
| ·HEMT 器件仿真研究 | 第40-58页 |
| ·ALGAN/GAN HEMT 特性仿真 | 第40-42页 |
| ·高Κ叠栅 ALGAN/GAN MOS-HEMT 特性仿真 | 第42-55页 |
| ·增强型 ALGAN/GAN MOS-HEMT 特性仿真 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结束语 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 研究成果 | 第68-69页 |
