| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究背景及研究意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-12页 |
| ·主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMTs 工作原理和制备过程 | 第13-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 工作原理 | 第13-18页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 器件的典型结构 | 第13页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结结构极化特性 | 第13-16页 |
| ·2DEG 密度 | 第16-18页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 器件的制备 | 第18-22页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构的制备 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN HMETs 器件的制备 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMTs 器件表面态及界面态研究和表征 | 第23-49页 |
| ·陷阱态研究的前期准备 | 第23-25页 |
| ·AlGaN/GaN HMETs 器件的制备 | 第23-24页 |
| ·概述 AlGaN/GaN 异质结构中的陷阱态 | 第24-25页 |
| ·脉冲法分析 AlGaN/GaN HEMTs 陷阱态 | 第25-32页 |
| ·脉冲电流-电压(I-V)法简介 | 第25页 |
| ·脉冲偏置条件 | 第25-26页 |
| ·实验结果分析 | 第26-32页 |
| ·电导法分析 AlGaN/GaN HEMT 陷阱态 | 第32-45页 |
| ·电导法基本原理介绍 | 第32-33页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 电导法简化等效电路模型分析 | 第33-35页 |
| ·实验结果分析 | 第35-42页 |
| ·变温 CV 实验结果分析 | 第42-45页 |
| ·栅延迟法分析 AlGaN/GaN HEMTs 陷阱态 | 第45-47页 |
| ·栅延迟法基本原理介绍 | 第45-46页 |
| ·实验结果分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 器件表面态及界面态研究和表征 | 第49-69页 |
| ·陷阱态研究的前期准备 | 第49-51页 |
| ·实验器件直流特性 | 第49-51页 |
| ·脉冲法分析 Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 陷阱态 | 第51-56页 |
| ·脉冲偏置条件 | 第51-52页 |
| ·实验结果分析 | 第52-56页 |
| ·电导法分析 Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMT 陷阱态 | 第56-66页 |
| ·Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs 电导法简化等效电路模型分析 | 第56-57页 |
| ·实验结果分析 | 第57-66页 |
| ·栅延迟法分析 Al_2O_3AlGaN/GaN MIS-HEMTs 陷阱态 | 第66-67页 |
| ·栅延迟法测试条件 | 第66页 |
| ·实验结果分析 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
