| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·为什么需要高κ材料 | 第7-8页 |
| ·高κ介质的技术要求 | 第8-10页 |
| ·较高的介电常数 | 第9页 |
| ·良好的热稳定性 | 第9页 |
| ·较大的禁带宽度 | 第9-10页 |
| ·良好的界面特性 | 第10页 |
| ·高κ介质的选择 | 第10-13页 |
| ·氮化物 | 第11页 |
| ·金属氧化物 | 第11-13页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第13-15页 |
| 第二章 高κ材料的 ALD 制备及表征方法 | 第15-29页 |
| ·原子层淀积技术 | 第15-21页 |
| ·ALD 原理 | 第15-16页 |
| ·ALD 的优势和劣势 | 第16-17页 |
| ·前驱体化学 | 第17-19页 |
| ·ALD 设备 | 第19-21页 |
| ·高κ材料表征方法 | 第21-28页 |
| ·光谱椭偏仪 | 第21-25页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第25-26页 |
| ·C-V 测试 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 ALD 的工艺参数对高κ薄膜的影响 | 第29-47页 |
| ·Nd_2O_3的工艺参数优化 | 第29-36页 |
| ·钕源加热温度 | 第29-32页 |
| ·淀积温度 | 第32-33页 |
| ·钕源脉冲时间 | 第33-34页 |
| ·臭氧脉冲时间 | 第34页 |
| ·淀积循环数 | 第34-35页 |
| ·冲洗时间 | 第35-36页 |
| ·退火温度对于薄膜特性的影响 | 第36-42页 |
| ·退火对薄膜组分的影响 | 第36-38页 |
| ·退火对薄膜光学特性的影响 | 第38-40页 |
| ·退火对于 Nd_2O_3-Si 价带差（VBO）的影响 | 第40-41页 |
| ·退火对于 Nd_2O_3-Si 导带差（CBO）的影响 | 第41-42页 |
| ·退火对介电常数的影响 | 第42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| ·Al_2O_3的工艺参数优化 | 第42-44页 |
| ·NdAlO_3的工艺参数优化 | 第44-45页 |
| ·生长温度区间的确定 | 第44页 |
| ·NdAlO_3的 Nd/Al 原子比 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 NdAlO_3的经时击穿特性 | 第47-57页 |
| ·栅氧化层的击穿模型 | 第47-48页 |
| ·栅氧化层的 TDDB 机理及寿命模型 | 第48-52页 |
| ·经时击穿机理 | 第48-49页 |
| ·寿命模型 | 第49-52页 |
| ·高κ栅介质 NdAlO_3的 TDDB 特性 | 第52-55页 |
| ·测试样品与实验方案 | 第52-53页 |
| ·Ig-Vg特性 | 第53页 |
| ·应力对 C-V 特性的影响 | 第53-54页 |
| ·不同应力下 Ig与 Tbd的关系 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 研究成果 | 第65-66页 |