| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| ·GaN 基 LED 简介 | 第6-9页 |
| ·GaN 的材料特性 | 第9-10页 |
| ·LED 的基本结构 | 第10-13页 |
| ·论文的研究意义及目的 | 第13-16页 |
| 第二章 LED 抗静电设计的理论基础 | 第16-30页 |
| ·MOCVD 外延生长工艺简介 | 第16-19页 |
| ·LED 静电击穿的机理 | 第19-22页 |
| ·ESD 标准化测试 | 第22-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 改变 GaN 基 LED 的结构设计提高抗静电性能 | 第30-34页 |
| ·GaN 基 LED 上集成肖特基二极管 | 第30-31页 |
| ·倒装结构的 GaN 基 LED 集成齐纳二极管 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 改进 MOCVD 生长工艺提高 ESD 性能 | 第34-46页 |
| ·调整 P-GaN 生长温度改善结晶质量 | 第34-36页 |
| ·P-AlGaN 电子阻挡层厚度的调整 | 第36-37页 |
| ·多量子阱(MQW)垒区的掺杂 | 第37-38页 |
| ·超晶格结构增强电流扩展效果 | 第38-41页 |
| ·LED 上集成 ESD 保护二极管 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 实验与设计 | 第46-54页 |
| ·超晶格对 GaN 基 LED 的抗静电放电性能的影响 | 第46-49页 |
| ·高温低温分步 p-GaN 外延层生长对 ESD 性能的影响 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
