| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT及MMIC的发展 | 第9-12页 |
| ·本文主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT及MMIC制造工艺 | 第14-22页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第14-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的制造工艺 | 第15-18页 |
| ·欧姆接触 | 第15-16页 |
| ·台面刻蚀 | 第16页 |
| ·表面SiN钝化 | 第16-17页 |
| ·栅槽刻蚀及栅金属蒸发 | 第17页 |
| ·第二层SiN淀积，互联开孔及互联金属蒸发 | 第17页 |
| ·空气桥制作 | 第17-18页 |
| ·无源器件的制造工艺 | 第18-20页 |
| ·MIM电容 | 第18-19页 |
| ·螺旋电感 | 第19页 |
| ·薄膜电阻 | 第19-20页 |
| ·背孔接地 | 第20页 |
| ·基于AlGaN/GaN HEMT的MMIC制造工艺 | 第20-22页 |
| 第三章 MMIC有源及无源器件建模 | 第22-52页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的表征 | 第22-26页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT直流特性表征 | 第22-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT小信号特性表征 | 第23-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT大信号特性表征 | 第25-26页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT小信号建模 | 第26-30页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT大信号模型 | 第30-41页 |
| ·Angelov及Angelov GaN模型 | 第31-33页 |
| ·CPC(Cabral, Pedro, Carvalho)模型 | 第33-35页 |
| ·EE_HEMT1 模型 | 第35-41页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT中Kink效应建模 | 第41-44页 |
| ·GaN HEMT MMIC无源器件建模 | 第44-49页 |
| ·MIM电容 | 第44-46页 |
| ·螺旋电感与薄膜电阻 | 第46-48页 |
| ·接地背孔 | 第48-49页 |
| ·排版及制版 | 第49-52页 |
| 第四章 GaN MMIC微波功率放大器 | 第52-72页 |
| ·线性微波功率放大器基础 | 第52-58页 |
| ·传统高效率微波功率放大器分类 | 第52-54页 |
| ·微波功率放大器基本指标 | 第54-58页 |
| ·两级GaN MMIC功率放大器设计 | 第58-72页 |
| ·总体结构设计 | 第58-59页 |
| ·输入、级间和输出网络的设计 | 第59-67页 |
| ·电路总体仿真及大信号模型验证 | 第67-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| ·文章内容总结 | 第72页 |
| ·未来工作 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 研究成果 | 第84-85页 |
