| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| ·GaN 材料的优势及发展历程 | 第7-10页 |
| ·GaN 材料的发展历程 | 第7-8页 |
| ·GaN 材料的优势 | 第8-9页 |
| ·GaN 材料的应用 | 第9-10页 |
| ·斯塔克效应 | 第10-12页 |
| ·非极性材料的优势及国内外研究现状 | 第12-15页 |
| ·非极性材料存在的问题 | 第15-16页 |
| ·本文研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 GaN 材料的性质及外延生长 | 第19-31页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第19-21页 |
| ·GaN 材料的基本结构 | 第19-20页 |
| ·GaN 的化学性质 | 第20页 |
| ·GaN 的电学性质 | 第20页 |
| ·GaN 材料的光学性质 | 第20-21页 |
| ·非极性 GaN 的特殊性质[33] | 第21页 |
| ·结构性质 | 第21页 |
| ·光学性质 | 第21页 |
| ·GaN 材料的外延生长 | 第21-30页 |
| ·生长方法的选择[34] | 第21-23页 |
| ·MOCVD 生长 GaN 的机理与过程[34] | 第23-25页 |
| ·外延生长衬底的选择 | 第25-26页 |
| ·非极性 GaN 材料采用的衬底 | 第26-27页 |
| ·MOCVD 系统简介 | 第27-28页 |
| ·非极性 GaN 材料外延生长的探究 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 GaN 外延材料的表征手段和基本原理 | 第31-45页 |
| ·AFM | 第31-33页 |
| ·Hall | 第33-35页 |
| ·PL | 第35-37页 |
| ·Raman | 第37-39页 |
| ·XRD | 第39-42页 |
| ·Bragg 方程和摇摆曲线 | 第39-40页 |
| ·X 射线双晶衍射方法(DCXRD) | 第40页 |
| ·X 射线三轴衍射方法 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 非极性 a 面 GaN 生长优化研究 | 第45-57页 |
| ·非极性 a 面 GaN 材料生长实验 | 第45-47页 |
| ·实验结果与分析 | 第47-55页 |
| ·非极性 a 面 GaN 材料生长的温度优化 | 第48-52页 |
| ·非极性 a 面 GaN 材料生长压力优化 | 第52-53页 |
| ·不同 V-III 比的非极性 a 面 GaN 材料比较研究 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 Mg掺杂非极性 a 面 GaN 的生长 | 第57-65页 |
| ·Mg 掺杂非极性 a 面 GaN 材料的生长 | 第57-58页 |
| ·退火过程 | 第58页 |
| ·退火结果的讨论 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·论文工作总结 | 第65页 |
| ·工作展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |