| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·非极性GaN 材料的物理特性 | 第10-12页 |
| ·极性AlGaN/GaN异质结的缺陷 | 第12-14页 |
| ·极性材料中的量子限制斯塔克效应 | 第12-13页 |
| ·高密度的极化电荷 | 第13-14页 |
| ·非极性AlGaN/GaN异质结的研究意义 | 第14-15页 |
| ·非极性GaN材料中的各向异性 | 第14-15页 |
| ·增强型的HFET器件 | 第15页 |
| ·非极性面GaN的研究背景 | 第15-16页 |
| ·本文的主要内容和安排 | 第16-18页 |
| 第二章 各向异性在非极性面GaN材料中的体现 | 第18-26页 |
| ·条纹状的表面形貌 | 第18-19页 |
| ·各向异性的位错密度 | 第19-21页 |
| ·堆垛层错 | 第21页 |
| ·霍尔效应测试 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-26页 |
| 第三章 非极性GaN基异质结 2DEG的低场迁移率模型 | 第26-46页 |
| ·二维电子气相关基础理论 | 第26-28页 |
| ·二维电子气的定义 | 第26-27页 |
| ·2DEG的主要的散射机制 | 第27-28页 |
| ·带电的堆垛层错的动量弛豫模型 | 第28-33页 |
| ·界面粗糙度散射和线性偶极子散射 | 第33-37页 |
| ·界面粗糙度散射 | 第33-35页 |
| ·偶极子散射 | 第35-37页 |
| ·其他的散射机制简介 | 第37-39页 |
| ·晶格振动散射 | 第37-38页 |
| ·杂质散射 | 第38页 |
| ·合金无序散射 | 第38页 |
| ·位错散射 | 第38-39页 |
| ·2DEG面密度的建模 | 第39-42页 |
| ·栅极以外的 2DEG面密度 | 第39-41页 |
| ·栅极金属下的 2DEG面密度 | 第41-42页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件物理 | 第42-44页 |
| ·阈值电压 | 第42-44页 |
| ·沟道中的电子浓度与电压的关系 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 结构参数和温度对非极性AlGaN/GaN异质结 2DEG迁移率的影响 | 第46-66页 |
| ·2DEG迁移率随 2DEG面密度的变化 | 第46-50页 |
| ·温度T对迁移率的影响 | 第50-52页 |
| ·势垒层的掺杂浓度和厚度对迁移率的影响 | 第52-57页 |
| ·势垒层的掺杂浓度对迁移率的影响 | 第53-54页 |
| ·势垒层的厚度对迁移率的影响 | 第54-57页 |
| ·势垒层Al含量对迁移率的影响 | 第57-59页 |
| ·非极性AlGaN/GaN HFET器件结构和特性 | 第59-61页 |
| ·肖特基栅型HFET | 第59-60页 |
| ·MIS型栅的HFET | 第60-61页 |
| ·非极性GaN基HFET器件仿真 | 第61-64页 |
| ·仿真软件的介绍 | 第61页 |
| ·器件的基本模型 | 第61-62页 |
| ·器件的仿真结果分析 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
