| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题的研究背景 | 第8-9页 |
| ·SiC MOS 器件的发展现状和主要问题 | 第9-10页 |
| ·关于改善 SiO_2/SiC 界面特性的研究 | 第10-11页 |
| ·本文的研究内容 | 第11-14页 |
| 第二章 SiC MOS 电容与 SiO_2/SiC 的界面特性分析 | 第14-24页 |
| ·SiC MOS 电容特性分析 | 第14-15页 |
| ·SiC MOS 电容的 C-V 特性 | 第14页 |
| ·SiC MOS 的平带电容 | 第14-15页 |
| ·SiO_2/SiC 的界面特性及其表征 | 第15-19页 |
| ·MOS 系统中电荷的构成 | 第16-17页 |
| ·SiO_2/SiC 界面态的成因 | 第17-19页 |
| ·界面态密度 Dit的计算 | 第19-22页 |
| ·边界陷阱密度 Not的计算 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 二次氧化退火的 SiC MOS 电容界面特性分析 | 第24-40页 |
| ·二次氧化退火工艺概述 | 第24页 |
| ·实验 | 第24-26页 |
| ·C-V 测试与分析 | 第26-33页 |
| ·平带电压（Vfb） | 第26-28页 |
| ·界面态密度（Dit） | 第28-32页 |
| ·边界陷阱密度（Not） | 第32-33页 |
| ·XPS 测试原理与结果分析 | 第33-39页 |
| ·SiO_2/SiC 界面成分理论 | 第34页 |
| ·XPS 测试结果与分析 | 第34-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 AlN 介质层 SiC MOS 电容分析 | 第40-54页 |
| ·实验 | 第40-42页 |
| ·AlN 薄膜的表征 | 第42-48页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第42-44页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第44-48页 |
| ·AlN/SiC 界面特性研究 | 第48-52页 |
| ·平带电压（Vfb） | 第49-50页 |
| ·界面态密度（Dit） | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间的主要研究成果 | 第62-63页 |