GaN基材料位错表征与抑制方法研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第一章 绪论	第10-16页
·GaN 基材料基本特性	第10-12页
·GaN 基材料的应用情况	第12-13页
·GaN 基电子器件	第12-13页
·GaN 基光电器件	第13页
·GaN 基材料中存在的缺陷及其影响	第13-15页
·本文的工作安排	第15-16页
第二章 实验手段及表征方法	第16-30页
·生长方法简介	第16-18页
·高分辨率 X 射线衍射（HRXRD）	第18-21页
·原子力显微镜（AFM）	第21-23页
·拉曼光谱（Raman Spectra）	第23-25页
·扫描电子显微镜（SEM）	第25页
·椭偏光谱仪	第25-30页
第三章 GaN 基材料的腐蚀及位错表征研究	第30-44页
·缺陷选择性腐蚀简介	第30-33页
·缺陷选择性腐蚀简介	第30页
·缺陷选择性腐蚀的应用	第30-33页
·腐蚀手段的选择	第33页
·AlGaN/GaN 异质结的腐蚀研究	第33-37页
·AlGaN 体材料的腐蚀特性研究	第37-41页
·本章小结	第41-44页
第四章 GaN 基材料位错抑制研究	第44-58页
·降低位错方法介绍	第44-47页
·ELOG 方法简介	第44-46页
·其他降低位错的方法	第46-47页
·插入层降低位错密度的研究	第47-57页
·实验样品的各项数据表征	第48-50页
·淀积 SiNx插入层抑制位错	第50-53页
·淀积 TiN 插入层抑制位错	第53-56页
·TiN 与 SiNx插入层抑制位错对比	第56-57页
·本章小结	第57-58页
第五章 总结	第58-60页
致谢	第60-62页
参考文献	第62-68页
攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目	第68-69页