| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·论文的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·相关课题的提出 | 第10页 |
| ·论文工作及组织结构 | 第10-13页 |
| 第二章 半导体器件的高功率微波效应 | 第13-25页 |
| ·HPM 效应 | 第13页 |
| ·HPM 诱发半导体器件失效与烧毁典型模式 | 第13-17页 |
| ·HPM 能量作用于电子器件的耦合途径 | 第17-18页 |
| ·HPM 感应电压脉冲 | 第18-19页 |
| ·半导体器件的 HPM 效应仿真数值模型 | 第19-22页 |
| ·MOSFET 器件微波损伤注入实验结果 | 第22-25页 |
| ·MOS 器件栅极注入试验结果 | 第22-23页 |
| ·MOS 器件漏极注入试验结果 | 第23-25页 |
| 第三章 MOSFET 栅极注入引起器件特性退化的机理研究 | 第25-35页 |
| ·MOS 器件的 HPM 效应物理过程与模型 | 第25页 |
| ·HPM 效应引起器件特性退化物理过程 | 第25-26页 |
| ·HPM 作用下器件退化物理模型 | 第26-28页 |
| ·器件结构与仿真 | 第28-32页 |
| ·器件结构与仿真模型选取 | 第28-29页 |
| ·仿真结果与分析 | 第29-32页 |
| ·实验结果与讨论 | 第32-33页 |
| ·结论 | 第33-35页 |
| 第四章 漏极注入 HPM 诱发热电损伤机理研究 | 第35-43页 |
| ·HPM 作用下 NMOSFET 热电响应模型 | 第35-37页 |
| ·nMOSFET 二维热电效应模型 | 第35-37页 |
| ·结果与分析 | 第37-41页 |
| ·漏极注入 HPM 仿真结果 | 第37-40页 |
| ·模拟结果分析 | 第40-41页 |
| ·仿真结果和实验结果对比 | 第41-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| 第五章 HPM 干扰下 NMOSFET 直流特性变化的机理分析 | 第43-57页 |
| ·NMOSFET 栅极注入 HPM 实验方法和现象 | 第43-45页 |
| ·HPM 栅极注入 NMOSFET 的响应模型 | 第45页 |
| ·HPM 作用下沟道反型层电荷响应 | 第45-48页 |
| ·HPM 作用下栅电流模型 | 第48-51页 |
| ·模拟与分析 | 第50-51页 |
| ·栅极注入 HPM 下 NMOSFET 直流特性模型与仿真 | 第51-54页 |
| ·结论 | 第54-57页 |
| 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第65-66页 |
