| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·GaN 基 HEMT 的特点 | 第11-12页 |
| ·常规 GaN 基 HEMT 的发展历程 | 第12-14页 |
| ·高 Al 组份薄势垒 AlGaN/GaN HEMT 研究进展 | 第14-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-21页 |
| 第二章 GaN 异质结结构理论研究 | 第21-31页 |
| ·GaN 异质结结构理论 | 第21-26页 |
| ·Ⅲ族氮化物异质结形成的物理基础 | 第21-22页 |
| ·AlxGa1-xN/GaN异质结的极化性质 | 第22-26页 |
| ·材料表征技术 | 第26-30页 |
| ·AFM | 第26-27页 |
| ·HRXRD | 第27-28页 |
| ·范德堡（Van der Pauw）法 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 高 Al 组份薄势垒 AlGaN/GaN 异质结生长 | 第31-47页 |
| ·高 Al 组份薄势垒 AlGaN/GaN 异质结材料生长 | 第31-33页 |
| ·高 Al 组份薄势垒 AlGaN/GaN 异质结材料特性研究 | 第33-41页 |
| ·高 Al 组份薄势垒 AlGaN/GaN 异质结的 XRD 测试研究 | 第33-34页 |
| ·势垒层变薄和 Al 组份增加对异质结电学特性的影响 | 第34-37页 |
| ·GaN 帽层对薄势垒 AlGaN/GaN HEMT 表面形貌影响 | 第37-39页 |
| ·AlN 插入层对薄势垒 AlGaN/GaN HEMT 电学特性影响 | 第39-41页 |
| ·高 Al 组份薄势垒 AlGaN/GaN 异质结器件特性 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 类 AlGaN/GaN 异质结材料生长 | 第47-65页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结层结构仿真 | 第47-49页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结层结构与生长条件 | 第49-53页 |
| ·类异质结生长的初步探讨 | 第53-56页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌研究 | 第54-55页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结的电学特性研究 | 第55-56页 |
| ·单周期厚度对类 AlGaN/GaN 异质结的影响 | 第56-58页 |
| ·单周期厚度对类 AlGaN/GaN 异质结表面形貌的影响 | 第56-57页 |
| ·单周期厚度对类 AlGaN/GaN 异质结电学特性的影响 | 第57-58页 |
| ·等效 Al 组份对类 AlGaN/GaN 异质结的影响 | 第58-62页 |
| ·等效 Al 组份对类 AlGaN/GaN 异质结的表面形貌的影响 | 第58-59页 |
| ·等效 Al 组份对类 AlGaN/GaN 异质结的电学特性的影响 | 第59-60页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结的变温电学特性研究 | 第60-62页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结与常规异质结的特性比较 | 第62-64页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结与常规异质结的表面形貌比较 | 第62-63页 |
| ·类 AlGaN/GaN 异质结与常规异质结的电学特性比较 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结束语 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 硕士期间的研究成果及获奖情况 | 第75-77页 |
