单轴应变硅纳米CMOS设计研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·CMOS及单轴应变硅技术发展及研究现状 | 第8-10页 |
| ·CMOS技术及其发展现状 | 第8-9页 |
| ·单轴应变硅技术及发展现状 | 第9-10页 |
| ·本论文研究内容与章节安排 | 第10-13页 |
| 第二章 应变引入机制及性能增强机理 | 第13-21页 |
| ·全局应变引入机制 | 第13-14页 |
| ·局部应变引入机制 | 第14-17页 |
| ·单轴应变硅能带结构 | 第17-18页 |
| ·单轴应变硅器件性能增强机理 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 应变硅N/PMOS器件设计及性能分析 | 第21-33页 |
| ·应变硅N/PMOS器件结构设计 | 第21-23页 |
| ·应变硅NMOS器件实现 | 第23-28页 |
| ·应变硅NMOS器件实现工艺及应力分布 | 第23-25页 |
| ·应变硅NMOS器件电学特性 | 第25-28页 |
| ·应变硅PMOS器件实现 | 第28-32页 |
| ·应变硅PMOS器件实现工艺及应力分布 | 第29-30页 |
| ·复合致应变PMOS电学特性 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 应变硅MOS交流小信号特性分析 | 第33-49页 |
| ·交流小信号正弦稳态分析模型 | 第33-34页 |
| ·MOS器件电容特性 | 第34-42页 |
| ·MOS器件电容分布 | 第34-35页 |
| ·应变工艺对MOS器件电容的影响 | 第35-37页 |
| ·应变硅器件栅电容分析 | 第37-39页 |
| ·应变硅器件衬底电容分析 | 第39-40页 |
| ·多晶耗尽效应 | 第40-42页 |
| ·MOS器件频率特性 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 应变硅CMOS反相器特性分析 | 第49-61页 |
| ·应变硅 CMOS及反相器结构设计 | 第49-50页 |
| ·应变硅CMOS反相器的特性研究 | 第50-59页 |
| ·应变硅CMOS反相器器件匹配 | 第50-52页 |
| ·应变硅CMOS反相器静态特性 | 第52-54页 |
| ·应变硅CMOS反相器动态特性 | 第54-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 应变硅环形振荡器特性分析 | 第61-67页 |
| ·环形振荡器结构设计及频率特性分析 | 第61-63页 |
| ·环形振荡器特性仿真 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第七章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 研究成果 | 第77-78页 |
