| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·太赫兹技术概述 | 第9-13页 |
| ·THz波的特点[5-7] | 第10-11页 |
| ·THz波的应用[8][9] | 第11-13页 |
| ·GaN材料 | 第13-18页 |
| ·GaN材料的研究进展 | 第14-15页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第15-17页 |
| ·GaN材料的应用 | 第17-18页 |
| ·GaN耿氏二极管及其研究进展 | 第18-20页 |
| ·论文的研究内容和安排 | 第20-23页 |
| 第二章 耿氏二极管基本原理及几种耿氏二极管结构 | 第23-33页 |
| ·耿氏效应 | 第23-25页 |
| ·耿氏畴的形成 | 第25-28页 |
| ·几种GaN基耿氏二极管结构 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 带notch区的GaN耿氏二极管外延生长及测量 | 第33-51页 |
| ·MOCVD系统简介 | 第33-34页 |
| ·材料表征方法介绍 | 第34-39页 |
| ·带notch区的GaN耿氏器件外延生长 | 第39-43页 |
| ·器件外延生长方案设计 | 第40-42页 |
| ·器件外延生长 | 第42-43页 |
| ·器件生长测量及结果分析 | 第43-50页 |
| ·电阻率测量 | 第43-44页 |
| ·AFM测量 | 第44页 |
| ·SIMS测量 | 第44-45页 |
| ·HRXRD测量 | 第45-48页 |
| ·PL谱分析 | 第48页 |
| ·TEM测量 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 GaN耿氏二极管新结构设计 | 第51-61页 |
| ·技术背景 | 第51-53页 |
| ·新型GaN耿氏二极管的结构 | 第53-55页 |
| ·新型GaN耿氏二极管的制造流程示意图 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考资料 | 第65-69页 |
| 作者在读期间研究成果 | 第69-70页 |