| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·SOI 器件结构 | 第10-11页 |
| ·SOI 制备技术 | 第11-14页 |
| ·SIMOX 技术 | 第11-12页 |
| ·硅片键合 | 第12-13页 |
| ·智能剥离技术 | 第13-14页 |
| ·部分耗尽型 SOI 器件与全耗尽型 SOI 器件 | 第14-15页 |
| ·SOI 器件的基本特性 | 第15-18页 |
| ·体浮空效应 | 第15-16页 |
| ·自加热特性 | 第16-17页 |
| ·辐照特性 | 第17-18页 |
| ·国内外进展 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-21页 |
| 第二章 SOI 器件的总剂量辐射效应研究 | 第21-27页 |
| ·SOI 器件的总剂量辐射效应 | 第21-24页 |
| ·位移损伤及电离损伤 | 第21-22页 |
| ·硅-二氧化硅系统的四种电荷 | 第22-23页 |
| ·辐射效应的基本机理 | 第23-24页 |
| ·总剂量辐射对 SOI 器件特性的影响 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 SOI PMOS 器件的辐照实验分析 | 第27-45页 |
| ·实验样品和偏置 | 第27-28页 |
| ·实验结果与物理机理分析 | 第28-42页 |
| ·前栅阈值电压 | 第28-34页 |
| ·背栅阈值电压 | 第34-38页 |
| ·亚阈值斜率 | 第38-42页 |
| ·本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 SOI PMOS 器件特性的仿真与分析 | 第45-57页 |
| ·ISE 软件简介 | 第45-49页 |
| ·mdraw-器件二维模型建立模块 | 第45-47页 |
| ·dessis-仿真过程命令添加模块 | 第47-49页 |
| ·inspect-输出结果模块 | 第49页 |
| ·仿真结果与分析 | 第49-56页 |
| ·转移特性曲线 | 第49-54页 |
| ·空穴陷阱分布 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 研究成果 | 第65-66页 |