| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·MOSFET 器件的发展及其面临的挑战 | 第10-12页 |
| ·提升纳米尺寸器件性能的解决方案 | 第12-14页 |
| ·栅/栅介质工程 | 第12页 |
| ·沟道工程 | 第12-13页 |
| ·源漏工程 | 第13页 |
| ·新型 MOSFET 器件结构 | 第13-14页 |
| ·纳米器件中的量子力学效应和理论研究方法 | 第14-16页 |
| ·双栅 MOSFET 器件的研究现状及单杂质效应 | 第16-18页 |
| ·双栅 MOSFET 器件研究现状 | 第16-17页 |
| ·双栅 MOSFET 器件中的单杂质掺杂效应 | 第17-18页 |
| ·本文安排 | 第18-20页 |
| 第二章 量子力学模拟方法(LCBB_TBS)理论介绍 | 第20-36页 |
| ·小尺寸 MOSFET 器件理论研究-原则和模拟方法 | 第20-24页 |
| ·纳米 MOSFET 器件理论研究的关键问题 | 第20-22页 |
| ·电子性质的求解-薛定谔方程 | 第22-24页 |
| ·量子输运模型 | 第24页 |
| ·量子力学模拟理论模型介绍 | 第24-34页 |
| ·LCBB(Linear combination of bulk bands)方法介绍 | 第25-27页 |
| ·准费米能级(QFL)模型 | 第27-28页 |
| ·势垒顶部波函数分解(TBS)模型 | 第28-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 不同类型的杂质对双栅 MOSFET 性质的影响 | 第36-52页 |
| ·无掺杂时双栅 MOSFET 器件的性质 | 第37-40页 |
| ·N 型掺杂对双栅 MOSFET 器件性质的影响 | 第40-43页 |
| ·P 型掺杂对双栅 MOSFET 器件性质的影响 | 第43-47页 |
| ·P 型杂质均匀掺杂对双栅 MOSFET 器件性质的影响 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 掺杂位置不同时对双栅 MOSFET 性质的影响 | 第52-64页 |
| ·N 型杂质在沟道左侧时对双栅 MOSFET 性质的影响 | 第52-55页 |
| ·P 型杂质在沟道左侧时对双栅 MOSFET 性质的影响 | 第55-58页 |
| ·N 型掺杂在沟道右侧时对双栅 MOSFET 性质的影响 | 第58-59页 |
| ·P 型杂质在沟道右侧时对双栅 MOSFET 性质的影响 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 文献 | 第70-76页 |
