| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·碳化硅材料的优势及研究背景 | 第8-10页 |
| ·SiC 肖特基二极管的研究现状 | 第10-12页 |
| ·电场集中效应和场板结构 | 第12-14页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第14-16页 |
| 第二章 碳化硅材料特性分析和物理模型 | 第16-30页 |
| ·碳化硅材料的基本特征 | 第16-24页 |
| ·SiC 的晶体结构 | 第16-18页 |
| ·4H-SiC 的能带宽度 | 第18-19页 |
| ·碰撞电离系数 | 第19-20页 |
| ·载流子的迁移率 | 第20-24页 |
| ·碳化硅材料的物理模型 | 第24-26页 |
| ·杂质不完全离化模型和碰撞离化模型 | 第24-25页 |
| ·禁带宽度模型 | 第25-26页 |
| ·SRH 复合及俄歇复合模型 | 第26页 |
| ·器件仿真工具介绍 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 台阶场板结构 4H-SiC SBD 击穿特性模拟研究 | 第30-46页 |
| ·4H-SiC 功率 SBD 工作机理研究 | 第30-35页 |
| ·正向特性 | 第31-33页 |
| ·反向特性 | 第33-35页 |
| ·单级场板和台阶场板结构 4H-SiC SBD 器件基本结构和参数 | 第35-36页 |
| ·单级场板和台阶场板结构 4H-SiC SBD 器件击穿特性比较 | 第36-40页 |
| ·介质层厚度 ti对台阶结构 SBD 击穿特性的影响 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-46页 |
| 第四章 台阶场板结构 4H-SiC SBD 工艺实验研究 | 第46-56页 |
| ·实验材料及 4H-SiC SBD 的关键工艺 | 第46-51页 |
| ·实验材料 | 第46页 |
| ·4H-SiC SBD 关键工艺 | 第46-51页 |
| ·版图设计及工艺步骤 | 第51-54页 |
| ·4H-SiC SBD 版图设计 | 第51-52页 |
| ·制备工艺流程 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 研究总结 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
