SOI器件的总剂量辐照特性与加固电路设计技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SOI 技术 | 第9-15页 |
| ·SOI 的制备 | 第10-12页 |
| ·注氧隔离(SIMOX) | 第10-11页 |
| ·硅片键合与背面腐蚀 SOI 技术 | 第11页 |
| ·智能剥离技术(Smart cut) | 第11-12页 |
| ·SOI 器件结构 | 第12-13页 |
| ·SOI 器件的优点及存在的问题 | 第13-15页 |
| ·SOI 器件的优点 | 第13-14页 |
| ·SOI 器件存在的问题 | 第14-15页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI 器件总剂量辐射效应的机理分析 | 第17-27页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·MOS 结构的总剂量效应 | 第17-21页 |
| ·辐照感生氧化层陷阱电荷 | 第18-19页 |
| ·辐照感生界面陷阱 | 第19-20页 |
| ·器件特性变化 | 第20-21页 |
| ·SOI 器件的总剂量效应 | 第21-23页 |
| ·SOI 器件及电路的抗辐照加固设计 | 第23-26页 |
| ·工艺及器件结构加固 | 第23-25页 |
| ·电路结构加固 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 SOI 器件的总剂量辐照实验研究 | 第27-39页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·PD SOI NMOS 器件的辐照实验 | 第27-28页 |
| ·实验样品 | 第27-28页 |
| ·辐照实验与测试 | 第28页 |
| ·SOI 器件的基本辐射效应 | 第28-31页 |
| ·器件转移特性曲线分析 | 第29-30页 |
| ·器件输出特性曲线分析 | 第30-31页 |
| ·栅长对 SOI 器件辐射效应的影响 | 第31-36页 |
| ·栅长对器件跨导的影响 | 第31-33页 |
| ·栅长对器件输出特性的影响 | 第33-35页 |
| ·栅长对器件转移特性的影响 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 基于 SOI 结构的反相器抗辐照加固电路 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·抗辐照 SOI 反相器电路的设计 | 第39-41页 |
| ·总剂量电离辐照对反相器性能的影响 | 第39-40页 |
| ·抗辐照 SOI 反相器设计 | 第40-41页 |
| ·SOI 结构反相器及其加固电路的仿真分析 | 第41-50页 |
| ·仿真模型及条件 | 第41-43页 |
| ·仿真结果与分析 | 第43-50页 |
| ·常规反相器的辐照特性 | 第43-44页 |
| ·上拉结构改良反相器的辐照特性 | 第44-47页 |
| ·二极管对结构改良反相器的辐照特性 | 第47-49页 |
| ·三级缓存结构反相器的辐照特性 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 研究成果 | 第61-62页 |
