| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·GaN 材料及 HEMT 器件发展简介 | 第9-11页 |
| ·GaN 材料的优势 | 第9-10页 |
| ·GaN 基 HEMT 器件的发展情况 | 第10页 |
| ·GaN 基 HEMT 器件遇到的问题 | 第10-11页 |
| ·GaN 基 MIS-HEMT 器件的研究意义 | 第11-12页 |
| ·凹槽栅新型 MIS-HEMT 器件的提出 | 第12-13页 |
| ·原子层淀积 Al2O3凹槽栅型 MIS-HEMT 器件 | 第13-14页 |
| ·论文的主要结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 器件的 Silvaco 仿真分析和工艺制作 | 第15-31页 |
| ·Silvaco 仿真分析 | 第15-18页 |
| ·Atlas 仿真控件简介 | 第15页 |
| ·器件结构仿真和能带仿真 | 第15-17页 |
| ·器件直流特性仿真 | 第17-18页 |
| ·凹槽栅 MIS-HEMT 器件的制备 | 第18-29页 |
| ·凹槽栅 MIS-HEMT 器件制备流程简介 | 第18-21页 |
| ·器件制备关键工艺描述 | 第21-22页 |
| ·实验制备凹槽栅 MIS-HEMT 器件流片描述 | 第22-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 凹槽栅型 MIS-HEMT 器件基本电学性能分析 | 第31-47页 |
| ·器件工作机理简介 | 第31-32页 |
| ·凹槽栅 MIS-HEMT 器件电容特性的研究 | 第32-37页 |
| ·基本 C-V 特性 | 第33-34页 |
| ·载流子分布 | 第34页 |
| ·变频 CV 特性—界面态密度的表征 | 第34-37页 |
| ·凹槽栅 MIS-HEMT 器件的直流特性 | 第37-41页 |
| ·器件的转移特性 | 第37-38页 |
| ·器件的输出特性 | 第38-39页 |
| ·器件的栅电流特性 | 第39-40页 |
| ·器件的击穿特性 | 第40-41页 |
| ·凹槽栅 MIS-HEMT 器件的频率特性 | 第41-44页 |
| ·器件的电流崩塌特性 | 第41-43页 |
| ·器件的小信号特性 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-47页 |
| 第四章 凹槽栅 MIS-HEMT 器件的可靠性分析 | 第47-57页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 电应力退化模型简介 | 第47-48页 |
| ·开态应力下器件的退化 | 第48-52页 |
| ·关态应力下器件的退化 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
