SiC衬底石墨烯生长机理及电学特征
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·石墨烯材料概述 | 第7-12页 |
| ·石墨烯晶格与能带结构 | 第7-9页 |
| ·石墨烯性质 | 第9-12页 |
| ·石墨烯的应用前景 | 第12-15页 |
| ·研究现状和国内外发展趋势 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要工作和意义 | 第16-17页 |
| 第二章 SiC外延石墨烯的制备及表征 | 第17-29页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第17-19页 |
| ·微机械剥离法 | 第17页 |
| ·化学气相淀积法 | 第17-18页 |
| ·SiC外延石墨烯法 | 第18-19页 |
| ·其它制备方法 | 第19页 |
| ·石墨烯的表征方法 | 第19-27页 |
| ·拉曼光谱 | 第20-23页 |
| ·原子力显微镜 | 第23-25页 |
| ·霍尔效应 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 SiC外延石墨烯的生长机制及工艺过程 | 第29-41页 |
| ·SiC外延石墨烯的生长机制 | 第29-32页 |
| ·SiC结构 | 第29-30页 |
| ·生长机制 | 第30-32页 |
| ·工艺过程 | 第32-39页 |
| ·预处理 | 第33页 |
| ·氢刻蚀 | 第33-36页 |
| ·去化合物 | 第36-37页 |
| ·生长过程 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 石墨烯器件设计及电学表征 | 第41-51页 |
| ·石墨烯器件设计 | 第41-46页 |
| ·石墨烯器件发展 | 第41-43页 |
| ·石墨烯器件设计 | 第43-46页 |
| ·电学表征 | 第46-49页 |
| ·石墨烯欧姆接触 | 第46-47页 |
| ·石墨烯电学测量结构 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 总结语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |
