| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·SiC基功率 MOSFET 器件的发展现状 | 第7-8页 |
| ·SiC基功率器件的研究意义 | 第8-10页 |
| ·本文的研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 SiC功率器件理论基础 | 第11-27页 |
| ·SiC材料基础 | 第11-15页 |
| ·SiC 材料特性 | 第11-14页 |
| ·SiC 材料制备 | 第14-15页 |
| ·SiC 材料缺陷 | 第15页 |
| ·SiC基功率器件基础 | 第15-18页 |
| ·SiC 基器件特点 | 第15-16页 |
| ·SiC 基器件工艺 | 第16-17页 |
| ·SiC 基器件应用 | 第17-18页 |
| ·功率金属 -氧化物- 半导体场效应管 | 第18-27页 |
| ·功率金属 -氧化物- 半导体场效应管类型 | 第18-20页 |
| ·VDMOSFET 工作原理 | 第20页 |
| ·功率 VDMOSFET 器件 I - V 曲线 | 第20-22页 |
| ·功率 VDMOSFET 器件参数 | 第22-24页 |
| ·VDMOSFET 器件的技术特点及应用 | 第24-27页 |
| 第三章 几种功率VDMOSFE器件结构 | 第27-37页 |
| ·传统功率 VDMOSFET 器件结构 | 第27-29页 |
| ·传统功率 VDMOSFET 器件结构 | 第27-28页 |
| ·VDMOSFET 器件导通电阻 Ro n | 第28-29页 |
| ·几种高压大电流 VDMOSFET 结构 | 第29-35页 |
| ·超结 VDMOSFET (Super junction )结构 | 第30-32页 |
| ·半超结 VDMOSFET 结构 | 第32-33页 |
| ·侧面多晶硅栅 VDMOSFET (PFVDMOSFET ) 结构 | 第33-34页 |
| ·边氧沟道 VDMOSFET (OBVDMOSFET) 结构 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 新型结构SiC VDMOSFET研究 | 第37-57页 |
| ·Silvaco 器件模拟软件 ATLAS 介绍 | 第37-40页 |
| ·典型结构 SiC VDMOSFET器件仿真 | 第40-43页 |
| ·结构仿真 | 第40-42页 |
| ·I-V 特性和击穿特性仿真 | 第42-43页 |
| ·新型结构 SiC VDMOSFET器件仿真 | 第43-47页 |
| ·结构仿真 | 第44-45页 |
| ·I-V 特性和击穿特性仿真 | 第45-47页 |
| ·新型与典型结构器件特性仿真对比 | 第47-52页 |
| ·结构对比 | 第47-49页 |
| ·I-V 特性对比分析 | 第49-51页 |
| ·击穿特性和阻态能带图对比分析 | 第51-52页 |
| ·P+薄层参数不同时对器件击穿电压的影响 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
