| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·GaN 及 AlGaN/GaN 材料发展史及现状 | 第8-10页 |
| ·GaN 材料及其发展状况 | 第8-9页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构材料发展史与现状 | 第9-10页 |
| ·FESBD 器件的研究意义及器件特性 | 第10-12页 |
| ·续流二极管的工作原理和特性要求 | 第10-11页 |
| ·基于 AlGaN/GaN 异质结的 FESBD | 第11-12页 |
| ·本论文的工作及内容安排 | 第12-14页 |
| 第二章 仿真工具 Silvaco | 第14-20页 |
| ·Silvaco 工具简介 | 第14-17页 |
| ·Sivaco 主要组件 | 第14-16页 |
| ·ATLAS 仿真流程 | 第16-17页 |
| ·材料参数及模型 | 第17-18页 |
| ·接触特性 | 第17-18页 |
| ·材料特性 | 第18页 |
| ·界面特性 | 第18页 |
| ·物理模型 | 第18页 |
| ·数值计算方法 | 第18-20页 |
| 第三章 常规肖特基二极管仿真分析 | 第20-30页 |
| ·FESBD 仿真策略和物理模型 | 第20页 |
| ·GaN SBD 和 AlGaN SBD 的仿真 | 第20-25页 |
| ·AlGaN/GaN SBD 的仿真 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 场效应肖特基二极管仿真分析 | 第30-40页 |
| ·肖特基势垒高度对 AlGaN/GaN SBD 特性的影响 | 第30-32页 |
| ·复合肖特基接触结构对 AlGaN/GaN SBD 特性的影响 | 第32-35页 |
| ·不同肖特基接触的面积比对 FESBD 性能的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第五章 结论 | 第40-42页 |
| 致谢 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
