| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·GaN 材料的特点简介 | 第7-8页 |
| ·GaN 基肖特基二极管研究 | 第8-10页 |
| ·GaN 基肖特基二极管研究意义 | 第8-9页 |
| ·GaN 肖特基二极管研究现状 | 第9-10页 |
| ·本文研究内容和安排 | 第10-13页 |
| 第二章 金属半导体肖特基接触基本理论 | 第13-25页 |
| ·肖特基接触的原理 | 第13-19页 |
| ·性质上的特征 | 第13-14页 |
| ·肖特基势垒 | 第14-15页 |
| ·表面态对势垒高度的影响 | 第15-17页 |
| ·镜象力和隧道效应的影响 | 第17-19页 |
| ·肖特基接触电流输运特性 | 第19-23页 |
| ·热电子发射和扩散理论 | 第19-21页 |
| ·势垒高度随着偏压变化的影响 | 第21-22页 |
| ·隧穿电流 | 第22-23页 |
| ·复合电流 | 第23页 |
| ·空穴注入电流 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 肖特基二极管电学特性分析 | 第25-47页 |
| ·AlGaN/GaN 肖特基二极管的制备 | 第25-26页 |
| ·参数提取方法 | 第26-31页 |
| ·电流-电压测试提取势垒高度和理想因子 | 第26-27页 |
| ·电容-电压法测试提取势垒高度 | 第27-29页 |
| ·串联电阻的计算方法 | 第29-31页 |
| ·AlGaN/GaN 肖特基二极管电学特性分析 | 第31-39页 |
| ·不同温度下肖特基二极管正向特性分析 | 第31-35页 |
| ·隧穿电流 | 第35-36页 |
| ·肖特基反向电流的温度特性 | 第36-39页 |
| ·肖特基接触尺寸对其电学特性的影响 | 第39-46页 |
| ·肖特基接触宽度对电流密度的影响 | 第39-42页 |
| ·不同肖特基接触面积对 2DEG 浓度的影响 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 肖特基二极管结构优化与仿真 | 第47-59页 |
| ·边缘终端技术简介 | 第47-50页 |
| ·功率器件的设计要点 | 第47页 |
| ·边缘电场集中效应 | 第47-48页 |
| ·边缘终端技术 | 第48-50页 |
| ·浮动金属环结构仿真与优化 | 第50-57页 |
| ·浮动金属环对二极管性能的影响参数 | 第51-52页 |
| ·浮动金属环与阳极间距对器件特性的影响 | 第52-54页 |
| ·浮动金属环宽度和个数对器件特性的影响 | 第54-56页 |
| ·带场板的浮动金属环结构 | 第56-57页 |
| ·器件版图与工艺流程设计 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |