功率VDMOS器件的低温可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·低温微电子的科学意义及应用前景 | 第9-10页 |
| ·低温微电子国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·低温微电子面临的问题 | 第12-14页 |
| ·本文的主要研究工作与内容安排 | 第14-15页 |
| 第二章 功率 VDMOS 简介 | 第15-31页 |
| ·功率 VDMOS 工作原理 | 第15-18页 |
| ·功率 VDMOS 结构 | 第15-17页 |
| ·功率 VDMOS 工作原理 | 第17-18页 |
| ·功率 VDMOS 优点及应用 | 第18页 |
| ·功率 VDMOS 电特性 | 第18-22页 |
| ·功率 VDMOS 转移特性 | 第18-20页 |
| ·功率 VDMOS 输出特性 | 第20-22页 |
| ·功率 VDMOS 主要参数 | 第22-25页 |
| ·功率 VDMOS 工艺 | 第25-29页 |
| ·VDMOS 工艺设计原则 | 第25页 |
| ·n+衬底与 n-外延层 | 第25-26页 |
| ·栅氧与多晶硅 | 第26-27页 |
| ·p 体区与 n+源区 | 第27-29页 |
| ·VDMOS 工艺参数选取 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 功率 VDMOS 相关仿真 | 第31-57页 |
| ·功率 VDMOS 工艺仿真 | 第31-36页 |
| ·工艺仿真流程 | 第31-33页 |
| ·相关模型简介 | 第33-36页 |
| ·功率 VDMOS 常温仿真 | 第36-45页 |
| ·常温仿真初步结果 | 第36-40页 |
| ·工艺参数对电特性影响 | 第40-45页 |
| ·功率 VDMOS 低温仿真 | 第45-54页 |
| ·基本参数随温度变化 | 第45-49页 |
| ·漏源击穿电压BV_(DS)随温度变化 | 第49-51页 |
| ·阈值电压V_(th)随温度变化 | 第51-53页 |
| ·跨导g_m随温度变化 | 第53-54页 |
| ·最大漏电流I_d随温度变化 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 热载流子相关仿真 | 第57-65页 |
| ·热载流子简介 | 第57页 |
| ·常温热载流子 | 第57-62页 |
| ·热载流子模型介绍 | 第57-59页 |
| ·常温仿真 | 第59-62页 |
| ·低温热载流子 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 研究成果 | 第73-74页 |
