4H-SiC厚膜外延工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·SiC材料结构与性质 | 第7-10页 |
| ·碳化硅材料结构 | 第7-8页 |
| ·SiC材料性质及功率器件应用前景 | 第8-10页 |
| ·碳化硅厚膜外延研究现状 | 第10-13页 |
| ·垂直CVD研究现状 | 第10-11页 |
| ·氯化生长源研究现状 | 第11-12页 |
| ·水平热壁CVD研究现状 | 第12-13页 |
| ·碳化硅厚膜外延存在的问题 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 碳化硅外延生长方法与设备 | 第15-25页 |
| ·常用碳化硅外延生长方法 | 第15-18页 |
| ·蒸发生长技术 | 第15页 |
| ·液相外延 | 第15-16页 |
| ·分子束外延 | 第16页 |
| ·CVD生长技术 | 第16-17页 |
| ·总结碳化硅外延生长方法对厚膜外延生长的适用性 | 第17-18页 |
| ·常用碳化硅外延生长设备 | 第18-22页 |
| ·VP 2400 HW | 第19-20页 |
| ·AIX G5 WW | 第20页 |
| ·VP 508 GFR | 第20-21页 |
| ·SB50 & SB100 | 第21-22页 |
| ·VP 508 GFR系统生长工艺介绍 | 第22-24页 |
| ·VP 508 GFR生长系统介绍 | 第22-23页 |
| ·VP 508 GFR生长工艺流程 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 4H-SiC外延生长速率的研究 | 第25-33页 |
| ·实验设计 | 第25-26页 |
| ·不同生长条件对生长速率的影响研究 | 第26-30页 |
| ·生长时间 | 第26-27页 |
| ·生长源流量 | 第27页 |
| ·生长温度和生长气压 | 第27-28页 |
| ·载气流量 | 第28-30页 |
| ·实验结论及分析 | 第30-31页 |
| ·工艺参数对生长速率的影响 | 第30页 |
| ·生长机制 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 4H-SiC厚膜外延质量的研究 | 第33-45页 |
| ·表征方法分析 | 第33-38页 |
| ·FTIR厚度测试原理 | 第33-36页 |
| ·X射线衍射分析 | 第36-38页 |
| ·测试结果分析 | 第38-43页 |
| ·生长时间 | 第38-39页 |
| ·生长源流量 | 第39-40页 |
| ·生长气压 | 第40-41页 |
| ·生长温度 | 第41页 |
| ·载气流量 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 结束语 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
