InP HBT器件大信号模型研究
摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-11页 |
·INP HBT 器件的发展 | 第7-9页 |
·INP HBT 器件模型研究的意义 | 第9-10页 |
·本文的主要研究内容 | 第10-11页 |
第二章 HBT 的工作原理及等效电路模型 | 第11-29页 |
·HBT 器件的基本原理 | 第11-14页 |
·InGaAs/InP HBT 的器件结构 | 第11-12页 |
·工作原理 | 第12-14页 |
·HBT 的器件特性 | 第14-17页 |
·直流特性 | 第14-16页 |
·HBT 器件的频率特性 | 第16-17页 |
·HBT 等效电路模型的发展 | 第17-27页 |
·EM 模型 | 第17-19页 |
·GP 模型 | 第19-21页 |
·VBIC 模型 | 第21-24页 |
·Mextram 模型 | 第24-25页 |
·HICUM 模型 | 第25-27页 |
·本章小结 | 第27-29页 |
第三章 AGILENT HBT 大信号模型研究 | 第29-43页 |
·AGILENT HBT 大信号模型 | 第29-36页 |
·基于 SDD 技术的 HBT 大信号模型 | 第36-41页 |
·SDD 技术简介 | 第36-38页 |
·InP HBT 器件的大信号模型 | 第38-41页 |
·本章小结 | 第41-43页 |
第四章 INP HBT 器件大信号模型的参数提取 | 第43-53页 |
·器件 PAD 去嵌入技术 | 第43-44页 |
·电阻参数的提取 | 第44-46页 |
·电流参数的提取 | 第46-48页 |
·结电容的提取 | 第48-50页 |
·传输时间参数的提取 | 第50-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
致谢 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
研究成果 | 第61-62页 |