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InP HBT器件大信号模型研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·INP HBT 器件的发展第7-9页
   ·INP HBT 器件模型研究的意义第9-10页
   ·本文的主要研究内容第10-11页
第二章 HBT 的工作原理及等效电路模型第11-29页
   ·HBT 器件的基本原理第11-14页
     ·InGaAs/InP HBT 的器件结构第11-12页
     ·工作原理第12-14页
   ·HBT 的器件特性第14-17页
     ·直流特性第14-16页
     ·HBT 器件的频率特性第16-17页
   ·HBT 等效电路模型的发展第17-27页
     ·EM 模型第17-19页
     ·GP 模型第19-21页
     ·VBIC 模型第21-24页
     ·Mextram 模型第24-25页
     ·HICUM 模型第25-27页
   ·本章小结第27-29页
第三章 AGILENT HBT 大信号模型研究第29-43页
   ·AGILENT HBT 大信号模型第29-36页
   ·基于 SDD 技术的 HBT 大信号模型第36-41页
     ·SDD 技术简介第36-38页
     ·InP HBT 器件的大信号模型第38-41页
   ·本章小结第41-43页
第四章 INP HBT 器件大信号模型的参数提取第43-53页
   ·器件 PAD 去嵌入技术第43-44页
   ·电阻参数的提取第44-46页
   ·电流参数的提取第46-48页
   ·结电容的提取第48-50页
   ·传输时间参数的提取第50-52页
   ·本章小结第52-53页
第五章 总结与展望第53-55页
致谢第55-57页
参考文献第57-61页
研究成果第61-62页

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