| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景及研究意义 | 第9-13页 |
| ·GaN器件的应用前景和研究进展 | 第10页 |
| ·增强型AlGaN/GaN HEMT器件的研究进展 | 第10-12页 |
| ·GaN基器件可靠性的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文研究内容及安排 | 第13-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT的基本理论与工艺 | 第15-33页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的原理 | 第15-18页 |
| ·二维电子气产生机理 | 第15-17页 |
| ·肖特基势垒高度的计算 | 第17页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的基本结构及I-V特性 | 第17-18页 |
| ·F等离子体处理实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件 | 第18-21页 |
| ·F等离子体处理对器件阈值电压的影响 | 第18-19页 |
| ·F离子在器件中的分布及对能带的影响 | 第19-21页 |
| ·F离子在高温下的稳定性 | 第21页 |
| ·不同F等离子体处理AlGaN/GaN HEMT的结构及工艺 | 第21-26页 |
| ·HEMT器件的材料特性 | 第21-22页 |
| ·F等离子体处理HEMT器件的设计 | 第22-23页 |
| ·不同F等离子体处理HEMT器件的制作工艺 | 第23-26页 |
| ·不同F等离子体处理AlGaN/GaN HEMT器件的特性 | 第26-31页 |
| ·不同F等离子体处理HEMT器件的直流特性 | 第26-29页 |
| ·不同F等离子体处理肖特基二极管CV特性 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 增强型AlGaN/GaN HEMT的电应力可靠性 | 第33-49页 |
| ·增强型AlGaN/GaN HEMT的脉冲测试 | 第33-39页 |
| ·静态工作点 ( -8V,10V)下的增强型HEMT脉冲测试结果 | 第34-36页 |
| ·静态工作点(0V,0V) 下的增强型HEMT脉冲测试结果 | 第36-39页 |
| ·增强型AlGaN/GaN HEMT器件栅应力的研究 | 第39-42页 |
| ·栅台阶应力下的研究 | 第39-40页 |
| ·栅应力下的研究 | 第40-42页 |
| ·增强型AlGaN/GaN HEMT器件在高场应力下的研究 | 第42-46页 |
| ·开态应力下的研究 | 第43-44页 |
| ·关态应力下的研究 | 第44-46页 |
| ·几种应力的比较 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 增强型AlGaN/GaN HEMT器件的温度可靠性研究 | 第49-61页 |
| ·不同温度下增强型AlGaN/GaN HEMT器件的特性研究 | 第49-57页 |
| ·温度对肖特基二极管特性的影响 | 第49-52页 |
| ·温度对HEMT器件特性的影响 | 第52-57页 |
| ·增强型AlGaN/GaN HEMT的高温存储特性研究 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
