Si基双轴应变材料应变性能与关键工艺相关性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·应变Si/应变SiGe技术 | 第8-10页 |
| ·Si基应变材料的表征技术 | 第10页 |
| ·本文的研究内容与章节安排 | 第10-13页 |
| 第二章 Si基应变材料的性能增强机理 | 第13-23页 |
| ·Si基应变材料的晶格分析 | 第13-15页 |
| ·Si基应变材料的迁移率增强机制 | 第15-18页 |
| ·Si基应变材料的能带结构 | 第15-17页 |
| ·Si基应变材料迁移率的增强机制 | 第17-18页 |
| ·应力的引入技术 | 第18-22页 |
| ·全局应变工艺 | 第18-20页 |
| ·工艺应变 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 Si基应变材料的表征技术 | 第23-31页 |
| ·拉曼散射 | 第23-26页 |
| ·拉曼散射模型建立 | 第23-24页 |
| ·应变度与应力关系 | 第24-25页 |
| ·拉曼谱应力模型 | 第25-26页 |
| ·XRD测试技术 | 第26-30页 |
| ·XRD机制 | 第26-27页 |
| ·衍射方法 | 第27-28页 |
| ·共格生长下的外延膜参数计算 | 第28-30页 |
| ·其他测量技术 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 离子注入对Si基应变材料应力影响的研究 | 第31-49页 |
| ·试验方案设计 | 第32-37页 |
| ·应变Si离子注入试验方案设计 | 第33-34页 |
| ·应变SiGe离子注入试验方案设计 | 第34-35页 |
| ·试验用片选择 | 第35-37页 |
| ·离子注入对应变Si应力影响研究 | 第37-41页 |
| ·离子注入拉曼散射结果 | 第38-40页 |
| ·离子注入拉曼散射结果分析 | 第40-41页 |
| ·离子注入对应变SiGe应力的影响的研究 | 第41-47页 |
| ·离子注入对应变SiGe应变量影响研究 | 第42-46页 |
| ·XRD图形分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 热退火对改变Si基应变材料应力影响的研究 | 第49-55页 |
| ·试验设计 | 第49-50页 |
| ·应变Si热退火试验设计 | 第49-50页 |
| ·应变SiGe热退火试验设计 | 第50页 |
| ·热退火对应变Si应力影响的研究 | 第50-52页 |
| ·应变Si拉曼散射图形 | 第51页 |
| ·热退火应变Si应力拉曼图形结论分析 | 第51-52页 |
| ·热退火对应变SiGe应力影响的研究 | 第52-54页 |
| ·热退火对应变SiGe应力的XRD摇摆曲线 | 第52-54页 |
| ·热退火处理的应变SiGe XRD摇摆曲线分析 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
