| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| ·太赫兹技术概述 | 第7-10页 |
| ·太赫兹波的辐射特点 | 第7-8页 |
| ·太赫兹波的应用 | 第8-9页 |
| ·太赫兹波的产生方法 | 第9-10页 |
| ·GaN 材料优势及其薄膜外延生长技术 | 第10-17页 |
| ·GaN 材料的优势和特点 | 第11-14页 |
| ·GaN 材料的应用潜力 | 第14-15页 |
| ·GaN 晶体薄膜外延生长技术 | 第15-17页 |
| ·本文的结构和主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 耿氏振荡原理及仿真软件 | 第19-29页 |
| ·耿氏振荡原理 | 第19-25页 |
| ·转移电子效应 | 第19-20页 |
| ·耿氏畴的形成过程 | 第20-22页 |
| ·畴成熟及传播过程 | 第22-25页 |
| ·ATLAS 仿真平台简介 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 异质结以及器件模型优化 | 第29-37页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结 | 第29-32页 |
| ·Ⅲ族氮化物异质结形成的物理基础 | 第29-31页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的极化效应 | 第31-32页 |
| ·器件模型优化 | 第32-35页 |
| ·合金效应 | 第32-34页 |
| ·极化效应 | 第34页 |
| ·其他效应 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 仿真与分析 | 第37-55页 |
| ·AlGaN/GaN 耿氏二极管的结构及工作模式 | 第37-40页 |
| ·AlGaN/GaN 耿氏二极管的结构设计 | 第37-40页 |
| ·AlGaN/GaN 耿氏二极管的工作模式 | 第40页 |
| ·仿真方法 | 第40-41页 |
| ·仿真结果与分析讨论 | 第41-47页 |
| ·温度对 AlGaN/GaN 耿氏器件的影响 | 第41-45页 |
| ·Al 组分含量对 AlGaN/GaN 耿氏器件的影响 | 第45-47页 |
| ·仿真结果分析与讨论 | 第47-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |