| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SOI技术 | 第9-14页 |
| ·厚膜与薄膜SOI器件 | 第9-10页 |
| ·SOI技术的优势与存在的问题 | 第10-12页 |
| ·SOI MOS器件的寄生效应 | 第12-14页 |
| ·课题的研究背景及本文的主要研究工作 | 第14-17页 |
| 第二章 SOI器件辐射效应研究综述 | 第17-27页 |
| ·辐射粒子与半导体材料的相互作用 | 第17-18页 |
| ·辐射环境 | 第17-18页 |
| ·半导体材料的电离效应 | 第18页 |
| ·SOI器件的单粒子辐射效应 | 第18-21页 |
| ·电荷淀积模式 | 第18-19页 |
| ·单粒子效应的器件模拟 | 第19页 |
| ·MOS器件单粒子效应的电荷收集模式 | 第19-21页 |
| ·SOI器件的总剂量效应 | 第21-25页 |
| ·氧化层陷阱电荷的俘获与退火 | 第22-23页 |
| ·辐射感生界面态 | 第23-24页 |
| ·辐射感生氧化层陷阱电荷和界面态对器件的影响 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 SOI器件低剂量率γ射线总剂量辐照效应实验研究 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·辐照实验和测试 | 第27-28页 |
| ·实验结果分析 | 第28-39页 |
| ·剂量率和偏置条件等对器件转移特性的影响 | 第28-33页 |
| ·辐照对SOI器件输出特性的影响 | 第33-36页 |
| ·界面态对PMOS亚阈值斜率和跨导的影响 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 SOI器件单粒子效应的ISE TCAD仿真分析 | 第41-51页 |
| ·ISE-TCAD简介 | 第41页 |
| ·器件结构模型的建立及仿真流程 | 第41-44页 |
| ·二维模型的建立 | 第41页 |
| ·三维模型的建立 | 第41-43页 |
| ·物理模型及仿真流程 | 第43-44页 |
| ·仿真结果分析 | 第44-49页 |
| ·漏斗模型的验证 | 第44-45页 |
| ·不同因素对瞬态电流的影响 | 第45-48页 |
| ·2D 和 3D 模型收集电流的对比 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |