| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·SiC 材料的特性及优势 | 第8-10页 |
| ·SiC FJ-SBD 二极管研究意义及进展 | 第10-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SiC SBD 和 SiC FJ-SBD 器件的原理及模型参数 | 第14-28页 |
| ·SiC SBD 器件的工作原理 | 第14-15页 |
| ·SiC FJ-SBD 器件的工作原理 | 第15-17页 |
| ·器件仿真模型及参数 | 第17-20页 |
| ·二次外延参数及埋层 P+区参数的确定 | 第20-26页 |
| ·二次外延参数的确定 | 第20-22页 |
| ·P+区参数确定 | 第22-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 SiC 离子注入工艺的研究 | 第28-48页 |
| ·仿真工具简介 | 第28-30页 |
| ·Monte Carlo 模型简介 | 第28-29页 |
| ·仿真软件简介 | 第29-30页 |
| ·各因素对离子注入横向展宽的影响 | 第30-40页 |
| ·SiC 离子注入的实验和测试 | 第40-46页 |
| ·离子注入仿真和实验比较 | 第40-41页 |
| ·胶做阻挡测试结果 | 第41-45页 |
| ·注入前后表面形貌对比 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 器件的制备过程及相关测试 | 第48-58页 |
| ·埋层版图的设计 | 第48-50页 |
| ·器件制备的工艺流程及相关测试 | 第50-53页 |
| ·器件制备工艺流程 | 第50-51页 |
| ·器件制备及相关测试 | 第51-53页 |
| ·器件测试结果及分析 | 第53-55页 |
| ·本章总结 | 第55-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |